[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一单元，其具有沿第一方向延伸，并且在与所述第一方向正交的第二方向以相同间距配置的三个以上的栅极图案；和

第二单元，其与所述第一单元在所述第一方向上相邻；

所述第一单元所具有的所述各栅极图案在与所述第二单元之间的单元交界附近终结，各终端部在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的宽度相同，

所述第二单元具有被配置成在所述单元交界附近与所述第一单元所具有的所述各栅极图案的终端部对置的、由栅极图案构成的多个对置终端部，

所述各对置终端部与所述第一单元所具有的所述各栅极图案在所述第二方向以相同间距配置，所述各对置终端部在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的宽度相同，

所述多个对置终端部中的至少一部分，由从所述第二单元所具有的单一的第一栅极图案沿所述第一方向朝向所述第一单元突出的两个以上的突出部构成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述各终端部与所述各对置终端部在所述第二方向上的位置一致。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述各终端部与所述各对置终端部在所述第二方向上的位置错移了间距的一半。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一栅极图案构成第一晶体管，

所述第一单元所具有的所述各栅极图案中的至少一个构成了第二晶体管，

所述第一晶体管的栅极长度比所述第二晶体管的栅极长度大。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一晶体管是电容晶体管。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一晶体管是有助于电路功能的晶体管。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一晶体管具有多个种类的栅极长度。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二单元具有构成与所述第一晶体管相邻的其他晶体管的第二栅极图案，所述第二栅极图案构成了所述对置终端部的一个。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一栅极图案与所述第二栅极图案电连接。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一栅极图案是虚设图案。

11.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一单元，其具有沿第一方向延伸，并且在与所述第一方向正交的第二方向以相同间距配置的三个以上的栅极图案；和

第二单元，其与所述第一单元在所述第一方向上相邻；

所述第一单元所具有的所述各栅极图案在与所述第二单元之间的单元交界附近终结，各终端部在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的宽度相同，

所述第二单元具有被配置成在所述单元交界附近与所述第一单元所具有的所述各栅极图案的终端部对置的、由栅极图案构成的多个对置终端部，

所述各对置终端部在所述第二方向与所述第一单元所具有的所述各栅极图案以相同间距配置，在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的宽度相同，

所述第二单元具有：构成所述多个对置终端部中的至少一部分的虚设图案、和与所述虚设图案在所述第一方向上相邻的第一晶体管。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述虚设图案具有：沿所述第二方向延伸的图案主体、和从所述图案主体沿所述第一方向朝向所述第一单元突出的两个以上的突出部，

所述各突出部构成了所述对置终端部。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一单元所具有的所述各栅极图案中的至少一个构成了第二晶体管，

所述第一晶体管的栅极长度比所述第二晶体管的栅极长度大。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述各终端部与所述各对置终端部在所述第二方向上的位置一致。