[发明专利]曝光装置以及基板的曝光方法有效
申请号: | 201080002387.4 | 申请日: | 2010-11-24 |
公开(公告)号: | CN102203677A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 池渊宏;户川悟;永井新一郎;桐生恭孝 | 申请(专利权)人: | 日本精工株式会社 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027;H01L21/683 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 陈波;杨本良 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种具备多个曝光装置主体的曝光装置以及基板的曝光方法。
背景技术
以往,提出了多种用于制造液晶显示装置或等离子显示装置等平板显示装置的滤色器基板或TFT(薄膜晶体管:Thin Film Transistor)基板的曝光装置。曝光装置通过以掩模保持部保持掩模,并且以基板保持部保持基板使两者接近地对置配置。然后,通过从掩模侧照射图案曝光用的光,将描绘于掩模上的掩模图案曝光转印在基板上。此外,例如,在制造滤色器基板的情况下,使用4个曝光装置主体,在基板上顺次曝光BM(黑色基体)层、R(红)、G(绿)、B(蓝)这3个着色层。
在专利文献1、2所述的曝光装置中,基板保持部在吸附保持基板的吸附面上具有多个突起(压花),并且为划定多个吸附区域而具有将邻接的吸附区域分分隔开的间壁。并且,通过将在规定方向的突起与间壁的间隔和所邻接的突起间的间隔设定为规定的宽度,使基板的挠曲量大致相等,提高基板的平面度,从而抑制曝光不均。此外,在专利文献3所述的基板保持部,具备围住吸引空间的边缘部、设在吸引空间内的多个突起和从边缘部朝突起延伸的支承部,以便以良好的平坦度保持基板。
专利文献1:JP-A-2009-212344
专利文献2:JP-A-2009-198641
专利文献3:WO2006/025341号
可是,为冷却基板而在基板保持部的内部流通有冷却剂,当在基板保持部中吸附保持基板时,在多个突起或间壁所接触的部分和未接触的部分上,基板产生温度变化。特别是,在基板与所连续的间壁接触的部分,相对于未接触部分的温度变化大,有可能在与间壁接触的基板附近产生微小变形。因此,在使用多个曝光装置主体进行多个曝光时,如果间壁所接触的部分的位置在各曝光装置主体中一致,则存在在多个曝光的制品的该位置上发生曝光不均或曝光轮廓偏差的问题。此外,在专利文献1~3所述的基板保持部,对上述问题完全没有考虑。
发明内容
本发明是为解决上述问题而完成的,其目的在于提供一种即使是进行了多次曝光的制品,也能够抑制由间壁造成的曝光不均和曝光轮廓(profile)偏差的发生的曝光装置和基板的曝光方法。
根据本发明的实施方式,可提供一种将多个所述各掩模的图案依次曝光转印在所述基板上的曝光装置,其中,所述曝光装置具备通过照射所述曝光用光将所述掩模的图案曝光转印在所述基板上的多个曝光装置主体,所述曝光装置主体具备:保持具有所述图案的掩模的掩模保持部、具有通过吸附保持所述基板的吸附面的基板保持部、和照射曝光用光的照射部;在所述基板保持部的吸附面上,设有为分隔开邻接的吸附区域而形成的且能够与所述基板的背面相抵接的间壁、在所述吸附区域可与所述基板的背面相抵接的多个突起;所述多个曝光装置主体的各基板保持部的吸附面具有大致相同的外形尺寸,并且所述各基板保持部的间壁在每个所述曝光装置主体中形成于不同的位置上。
根据本发明的实施方式,可提供一种采用通过照射所述曝光用光将所述各掩模的图案曝光转印在所述基板上的多个曝光装置主体,将所述各掩模的图案依次曝光转印在所述基板上的基板的曝光方法,所述曝光装置主体具备用于保持具有图案的掩模的掩模保持部、具有通过吸附保持所述基板的吸附面的基板保持部和照射曝光用光的照射部,所述曝光方法包括如下的工序:以使将所述吸附面所邻接的吸附区域分隔开的间壁在所述每个曝光装置主体中在不同的位置上与所述基板的背面相抵接方式,由所述多个曝光装置主体对所述基板进行依次曝光。
发明效果
根据本发明的曝光装置,由于形成于多个曝光装置主体的各吸附面上的间壁,在每个曝光装置主体中形成在不同的位置上,因此即使是进行了多次曝光的制品,也能够抑制间壁所造成的曝光不均或曝光轮廓偏差的发生。
此外,根据本发明的基板的曝光方法,基板由于各间壁在每个曝光装置主体中在不同的位置上与基板的背面相抵接,同时通过多个曝光主体被依次曝光,因此即使是完成了多次曝光的制品,也能够抑制发生间壁所造成的曝光不均或曝光轮廓偏差。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施例的曝光装置的示意图。
图2是用于说明应用于图1的曝光装置中的接近(式)曝光主体的局部分解立体图。
图3是图2所示的接近(式)曝光装置主体的主视图。
图4是图2所示的掩模保持部的放大立体图。
图5的(a)是图1所示的基板保持部的主视图,(b)是(a)的V部放大图。
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