[发明专利]光学器件、电子设备、及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201080002432.6 申请日: 2010-02-02
公开(公告)号: CN102138088A 公开(公告)日: 2011-07-27
发明(设计)人: 井上大辅;藤井恭子;中野高宏;佐野光 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;H01L27/146;H04N5/335
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光学 器件 电子设备 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及检测光的光学器件及其制造方法。

背景技术

近年来,随着电子设备的小型化、薄型化、轻量化以及高性能化的发展,半导体装置从以往的封装结构改变,裸芯片或CSP(芯片尺寸封装)结构成为主流。其中,在晶片状态的组装工序中,能够通过贯通电极及再配线形成来进行电连接的晶片级CSP技术受到关注。例如,在以固体摄像元件为代表的光学器件中也逐渐采用了该技术(例如参照专利文献1)。

图4是示意地表示以往的具有晶片级CSP结构的固体摄像装置100A的截面的图。

以往的固体摄像装置100A具备固体摄像元件100,该固体摄像元件100包含:半导体元件101、设在半导体元件101的主面的摄像元件102、设在摄像元件102上的微透镜103、设在摄像元件102的周边的周边电路区域104A、和电连接于周边电路区域104A的电极配线104B。

此外,在半导体元件101的主面上,经由粘接部件105设有例如由光学玻璃构成的透光板106。进而,在半导体元件101的内部,设有沿厚度方向贯通半导体元件101的贯通电极107。

此外,半导体元件101的背面具备:电连接于贯通电极107的金属配线108、覆盖半导体元件101的背面和金属配线108的一部分并且在金属配线108的其余的部分具有开口部的绝缘层109、和设在绝缘层109的开口部且电连接于金属配线108的例如由钎焊构成的外部电极110。

如上所述,在以往的固体摄像装置100A中,摄像元件102和外部电极110经由周边电路区域104A、电极配线104B、贯通电极107和金属配线108而电连接,所以能够将受光信号提取到倒装片用基板等中。

上述结构的固体摄像元件100例如作为照相机模块而层叠了IR截止滤光片、基板、无源部件、光学透镜及光圈等光学部件。但是,由于将多个光学部件层叠,所以不能容易地实现照相机模块的低高度化。所以,提出了通过在固体摄像元件100上的透光板106上设置透镜从而带来的模块的低高度化(参照专利文献2或专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本特开2004-207461号公报

[专利文献2]日本特开2007-012995号公报

[专利文献3]日本特开2008-312012号公报

发明概要

发明要解决的技术问题

但是,在上述固体摄像装置100A中,存在如下问题:在入射到透光板106中的光线中,只有入射到对应于摄像元件102的区域(以下记作“摄像区域”)的光线到达摄像元件102,而入射到摄像区域的外侧的区域(以下记作“周边区域”)的光线没有到达摄像元件102。即,相对于入射到透光板106中的光量,由于摄像元件102受光的光量较少,所以导致摄像元件102的受光灵敏度变低。

此外,入射到周边区域的光线也照射在粘接部件105上,所以根据光线的波长而发生使粘接部件105劣化的耐光性的问题。

此外,发生由透光板106的侧面、对应于周边区域的半导体元件101表面、以及粘接部件105表面所反射的光导致图像特性的劣化的问题,根据情况,需要将摄像元件102与透光板106的侧面之间的距离某种程度地设计得较宽。此外,随之必须使摄像区域较窄、或使固体摄像装置100A较大(使半导体元件101较大、或使透光板106相对于摄像元件102较大)。

但是,在使摄像区域较窄的情况下,有效像素数减少而不能取得鲜明的图像。或者,通过微透镜103的尺寸的变小,从而受光灵敏度减小。另一方面,在使固体摄像装置100A较大的情况下,发生固体摄像装置100A的面积变大的问题。

发明内容

所以,本发明用于解决上述以往的问题,目的在于提供一种图像特性良好、高可靠性、能够以低成本制造的光学器件、电子设备及其制造方法。

解决技术问题所采用的手段

有关本发明的光学器件具备半导体元件、设在上述半导体元件的主面上的受光部、和经由粘接层层叠在上述半导体元件的主面上的透光板。在上述透光板的面对上述半导体元件的面及其背面中的至少一面上,形成有锯齿状的凹凸部。

通过做成上述结构,能够将入射到透光板的光高效率地聚光到受光部,所以受光部的受光量增加,受光灵敏度提高。

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