[发明专利]磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片有效
| 申请号： | 201080002962.0 | 申请日： | 2010-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102187020A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 冲田恭子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B33/10;H01L21/205;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磷化 铟基板 制造 方法 外延 晶片 | ||
1.一种磷化铟基板的制造方法，其包括如下步骤：
准备磷化铟基板；
利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗上述磷化铟基板；及
在上述利用硫酸过氧化氢水溶液混合物进行清洗的步骤之后，利用磷酸清洗上述磷化铟基板。
2.根据权利要求1所述的磷化铟基板的制造方法，其特征在于：以上述磷酸进行清洗的步骤中，使用1％以上且30％以下的浓度的上述磷酸水溶液。
3.根据权利要求1或2所述的磷化铟基板的制造方法，其特征在于：上述准备步骤中，准备包含掺杂剂的上述磷化铟基板，上述掺杂剂含有选自由铁、硫、锡以及锌所组成的群中的至少一种物质。
4.一种外延晶片的制造方法，其包括如下步骤：
通过权利要求1至3中任一项所述的磷化铟基板的制造方法而制造磷化铟基板；及
在上述磷化铟基板上形成外延层。
5.一种磷化铟基板，其特征在于：其是具有表面者，且
在上述表面中，硫酸离子的浓度为0.6ng/cm2以下，且与硫以外键结的氧的浓度以及碳的浓度为40原子％以下。
6.根据权利要求5所述的磷化铟基板，其特征在于：在上述表面中，In浓度相对P浓度的比(In/P)为1.23以下，且In氧化物为1.2原子％以下。
7.根据权利要求5或6所述的磷化铟基板，其特征在于：包含含有选自由铁、硫、锡以及锌所组成的群中的至少一种物质的掺杂剂。
8.一种外延晶片，其包括：
权利要求5至7中任一项所述的磷化铟基板；及
形成在上述磷化铟基板的上述表面上的外延层。
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