[发明专利]磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片

说明书

技术领域

本发明涉及一种磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片。

背景技术

磷化铟(InP)基板因具有发光的特性、及电子的迁移速度快等，而广泛用在半导体激光、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)或者高速器件等。半导体激光及LED在将外延层形成在InP基板上之后测定PL(photoluminescence，光致发光)强度，由此可简易地检查发光性能，该PL发光强度是以强者为佳。又，高速器件中，由于InP基板与外延层的界面的杂质所引起的漏电成为问题，由此界面中n型或者p型杂质较少者特性稳定。

InP基板的制造方法揭示在例如日本专利特开平5-267185号公报(专利文献1)中。具体而言，在将晶锭切割(cutting)制成晶片之后，进行研磨制成镜面晶片。该镜面晶片的表面，会残存研磨剂等成分，或研磨后产生氧化，或附着有机物，而形成与晶锭不同的层(表面膜)。使用硫酸将该表面膜蚀刻去除，而使表面膜的厚度为1nm以下。

又，使用硫酸以外的溶液的InP基板的表面处理揭示在例如日本专利特开平5-166785号公报(专利文献2)、日本专利特开昭54-13500号公报(专利文献3)、以及日本专利特开昭62-252140号公报(专利文献4)中。在专利文献2中，揭示有利用磷酸-过氧化氢-水的混合物或者氟化氢-过氧化氢-水的混合液清洗InP晶片的情形。在专利文献3中，揭示有利用含有15体积％以下的过氧化氢的硫酸对InP单晶晶片进行蚀刻的情形。在专利文献4中，揭示有通过磷酸-过氧化氢-水的混合溶液或者氟化氢-过氧化氢-水的混合溶液，而清洗InP晶片的情形。

先前技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开平5-267185号公报

专利文献2：日本专利特开平5-166785号公报

专利文献3：日本专利特开昭54-13500号公报

专利文献4：日本专利特开昭62-252140号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

上述专利文献1中为去除表面膜而使用硫酸。由此，因使用硫酸的蚀刻，而导致硫(S)残存在表面上。如果表面上残存S，则在该表面上形成有外延层的情形时，将会有电气特性恶化的问题。

上述专利文献2～4中使用含有过氧化氢的溶液清洗InP基板。

本发明者经锐意研究的结果发现，如果使用含有过氧化氢的溶液进行清洗，则将无法充分减少附着在InP基板的表面上的硅(Si)。本发明者发现如下问题，即，如果Si等杂质附着在InP基板的表面，则在该InP基板的表面上形成有外延层的情形时，将会导致电气特性恶化。

又，本发明者发现如下问题，即，如果表面膜中残存有机物，则在表面膜上形成有外延层的情形时，会因碳(C)与氧(O)的键结、或外延升温时In氧化物的残存，而导致PL特性恶化。

本发明是为解决上述的课题而完成者，本发明的目的在于提供一种能够抑制电

气特性的恶化，并且抑制PL特性的恶化的InP基板的制造方法、外延晶片的制造

方法、InP基板及外延晶片。

[解决问题的技术手段]

本发明的InP基板的制造方法包括如下步骤：

准备InP基板；

利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗InP基板；及

在利用硫酸过氧化氢水溶液混合物进行清洗的步骤后，利用磷酸清洗InP基板。

在所准备的InP基板上，形成C与氧(O)键结而成的有机膜、以及In、P及O键结而成的氧化膜。根据本发明的InP基板的制造方法，可通过以含有作为强酸的硫酸的硫酸过氧化氢水溶液混合物进行清洗，而抑制有机膜以及氧化膜的残存。因此，能够抑制PL特性的恶化。进而，可通过在该状态下利用磷酸进行清洗，而抑制硫酸过氧化氢水溶液混合物中的S等杂质的残存。因此，能够抑制电气特性的恶化。

在上述InP基板的制造方法中，较佳为，上述利用磷酸水溶液进行清洗的步骤中，使用1％以上且30％以下的浓度的磷酸。

本发明者经锐意研究的结果发现，可通过使磷酸水溶液的浓度为1％以上且30％以下，而减少InP基板的表面的Haze(雾度)(表面的微小粗糙)。因此，可抑制PL特性的恶化，并且抑制电气特性的恶化，且可减少表面的Haze。

在上述InP基板的制造方法中，较佳为，上述进行准备的步骤中，准备含有如下掺杂剂的InP基板，该掺杂剂包含选自由铁(Fe)、硫(S)、锡(Sn)、以及锌(Zn)所组成的群中的至少一种物质。