[发明专利]半导体封装的制造方法、半导体封装方法和溶剂型半导体封装环氧树脂组合物无效

专利信息
申请号: 201080004116.2 申请日: 2010-01-08
公开(公告)号: CN102282660A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 野村和宏;矶部友基 申请(专利权)人: 长瀬化成株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;C08G59/62;C09K3/10;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 丁香兰;孟伟青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法 溶剂 环氧树脂 组合
【权利要求书】:

1.一种半导体封装的制造方法,其特征在于,该方法包括以下工序:

工序(1),将溶剂型半导体封装环氧树脂组合物涂布于选自由半导体芯片和电路基板组成的组中的第一部件;

工序(2),使溶剂从所涂布的所述组合物中挥发,以干燥组合物;

工序(3),隔着涂布并干燥的该组合物将第一部件和第二部件热压接,所述第二部件选自由半导体芯片和电路基板组成的组中,并且,所述第二部件与第一部件形成半导体芯片/电路基板的组合体或半导体芯片/半导体芯片的组合体。

2.如权利要求1所述的制造方法,其中,在工序(2)中,在60℃~180℃进行加热干燥。

3.如权利要求1或2所述的制造方法,其中,在工序(2)中,加热干燥30秒~30分钟。

4.如权利要求1~3的任一项所述的制造方法,其中,电路基板为选自由树脂基板、陶瓷基板和硅基板组成的组中的至少1种。

5.如权利要求1~4的任一项所述的制造方法,其中,在工序(3)中,将金属制凸块和焊盘接合。

6.如权利要求1~5的任一项所述的制造方法,其中,在工序(3)中,在25℃至150℃的温度范围,使用动态粘弹性测定装置以6.28rad/s的剪切速度测定的该组合物的复弹性模量E*的大小为500Pa以上。

7.如权利要求1~6的任一项所述的制造方法,其中,使用以环氧树脂(A)、作为固化剂的酚类酚醛清漆树脂(B)、固化促进剂(C)和溶剂(D)为必要成分的溶剂型半导体封装环氧树脂组合物,其中所述酚类酚醛清漆树脂(B)的酚羟基的摩尔数相对于所述环氧树脂(A)中的环氧基的摩尔数为0.8倍~1.2倍的比例。

8.如权利要求7所述的制造方法,其中,使用醚类作为溶剂(D)。

9.一种半导体封装方法,其特征在于,该方法包括以下工序:

工序(1),将溶剂型半导体封装环氧树脂组合物涂布于选自由半导体芯片和电路基板组成的组中的第一部件;

工序(2),使溶剂从所涂布的所述组合物中挥发,以干燥组合物;

工序(3′),隔着涂布并干燥的该组合物将第一部件和第二部件热压接,所述第二部件选自由半导体芯片和电路基板组成的组中,并且,所述第二部件与第一部件形成半导体芯片/电路基板的组合体。

10.一种溶剂型半导体封装环氧树脂组合物,其特征在于,该组合物以环氧树脂(A)、作为固化剂的酚类酚醛清漆树脂(B)、潜在性固化促进剂(C′)和溶剂(D)为必要成分,其中所述酚类酚醛清漆树脂(B)的酚羟基的摩尔数相对于所述环氧树脂(A)中的环氧基的摩尔数为0.8倍~1.2倍的比例。

11.如权利要求10所述的组合物,其中,环氧树脂(A)为选自由萘型环氧树脂、双酚A型环氧树脂和双酚F型环氧树脂组成的组中的至少1种。

12.如权利要求10或11所述的组合物,其中,酚类酚醛清漆树脂(B)为选自由苯酚酚醛清漆树脂、芳烷基苯酚酚醛清漆树脂、萘酚酚醛清漆树脂和萜酚酚醛清漆树脂组成的组中的至少1种。

13.如权利要求10~12的任一项所述的组合物,其中,该组合物还含有无机填料,所述无机填料相对于100重量份的树脂组合物固体成分为30重量份~80重量份。

14.如权利要求10~13的任一项所述的组合物,其中,使用醚类作为溶剂(D)。

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