[发明专利]高分子电解质膜的制造方法有效
申请号: | 201080004701.2 | 申请日: | 2010-01-15 |
公开(公告)号: | CN102282709A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 足立真哉;原真弓;川上智教;希代圣幸 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H01M8/02 | 分类号: | H01M8/02;C08J5/22;H01B13/00;H01M8/10 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高分子 电解 质膜 制造 方法 | ||
1.一种高分子电解质膜的制造方法,包括以下工序:从离子性基团密度为2mmol/g以上的高分子电解质的聚合溶液中直接通过离心分离来除去缩聚时生成的盐分的一部分,从而得到涂液的工序,将该涂液流延涂布到基材上的工序,除去溶剂的一部分,从而在基材上得到膜状物的工序,以及,使该膜状物与水和/或酸性水溶液接触,来除去缩聚时生成的盐分的工序。
2.如权利要求1所述的高分子电解质膜的制造方法,在将除去上述溶剂的一部分、从而在基材上得到的膜状物中含有的盐分浓度记作C3重量%,并且将使该基材上的膜状物与水和/或酸性水溶液接触、除去缩聚时生成的盐分后的盐分浓度记作C4重量%时,C3<5,并且C4/C3<0.3。
3.如权利要求1所述的高分子电解质膜的制造方法,在将涂液流延涂布到基材上的工序之前,包括添加环状金属捕捉剂和/或二醇类的工序,并且在除去溶剂的一部分、在基材上得到膜状物的工序之后,包括除去环状金属捕捉剂和/或二醇类的工序。
4.如权利要求1所述的高分子电解质膜的制造方法,还包括通过添加环状金属捕捉剂和/或二醇类,来使含有离子性基团的金属盐的单体脱盐缩聚的工序。
5.如权利要求1所述的高分子电解质膜的制造方法,在残留5重量%以上、50重量%以下的浓度的溶剂的状态下,使该基材上的膜状物与水和/或酸性水溶液接触,来除去缩聚时生成的盐分。
6.如权利要求1所述的高分子电解质膜的制造方法,在不从基材剥离的情况下使该基材上的膜状物与水和/或酸性水溶液接触,来除去缩聚时生成的盐分。
7.如权利要求1所述的高分子电解质膜的制造方法,上述高分子电解质是含有水解性可溶性赋予基团的芳香烃系电解质。
8.如权利要求3或4所述的高分子电解质膜的制造方法,上述环状金属捕捉剂是冠醚。
9.如权利要求3或4所述的高分子电解质膜的制造方法,上述二醇类是多价醇类或分子量500以下的聚乙二醇。
10.如权利要求1所述的高分子电解质膜的制造方法,上述高分子电解质膜的通过固体13C DD/MAS NMR测得的133ppm的半峰宽为700Hz以下。
11.一种复合化高分子电解质膜,含有通过权利要求1所述的高分子电解质膜的制造方法制造出的高分子电解质膜、和孔隙率60%以上、格利透气度为1000秒/100cc以下的多孔质膜。
12.如权利要求11所述的复合化高分子电解质膜,多孔质膜是双轴取向多孔质聚丙烯膜。
13.如权利要求11所述的复合化高分子电解质膜,在80℃的热水中浸渍24小时后的面方向的尺寸变化率为5%以下,并且离子性基团密度为1.5mmol/g以上。
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