[发明专利]电路修复的方法和系统

权利要求书

1.一种修复电路的方法，包括：

利用激光器和至少一个激光束传输路径，对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域进行激光预处理；以及

利用所述激光器和所述至少一个激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位置。

2.如权利要求1所述的修复电路的方法，其中，所述预处理包括激光剥蚀。

3.如权利要求1所述的修复电路的方法，其中，在所述激光预处理和应用至所述施体基板的过程中，所述激光器工作在不同的功率等级。

4.如权利要求1所述的修复电路的方法，其中，所述预处理包括基板修复区域的预处理和导体修复区域的预处理。

5.如权利要求4所述的修复电路的方法，其中，所述激光剥蚀引起所述基板修复区域和所述导体修复区域的表面粗糙化。

6.如权利要求5所述的修复电路的方法，其中，所述基板修复区域的预处理和所述导体修复区域的预处理包括不同程度的表面粗糙化。

7.如权利要求1所述的修复电路的方法，其中，通过自动光学检查来选择所述至少一个导体修复区域。

8.如权利要求1所述的修复电路的方法，还包括：利用所述激光器和所述至少一个激光束传输路径对过量导体材料进行激光剥蚀。

9.如权利要求8所述的修复电路的方法，其中，所述过量导体材料是由从所述施体基板分离的材料形成的。

10.如权利要求8所述的修复电路的方法，其中，对过量导体材料进行的激光剥蚀是在将至少一个激光束应用至施体基板之后执行的，而将至少一个激光束应用至施体基板又是在所述激光预处理之后执行的。

11.一种修复电路的方法，包括：

利用激光器和至少一个激光束传输路径，对形成于电路基板上的导体的至少一个导体修复区域中的过量导体材料进行激光剥蚀；以及

利用所述激光器和所述至少一个激光束传输路径的至少一部分，将至少一个激光束应用至施体基板，使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离并转移至至少一个预定的导体位置。

12.如权利要求11所述的修复电路的方法，其中，对过量导体材料进行的激光剥蚀产生对短路的修复。

13.如权利要求11所述的修复电路的方法，其中，在所述激光剥蚀和应用至所述施体基板的过程中，所述激光器工作在不同的功率等级。

14.如权利要求11所述的修复电路的方法，还包括：对所述至少一个导体修复区域进行表面粗糙化。

15.如权利要求11所述的修复电路的方法，其中，通过自动光学检查来选择所述至少一个导体修复区域。

16.一种修复电路的方法，包括：

预处理电路基板的至少一个电路基板修复区域和导体的至少一个导体修复区域，所述导体形成于所述电路基板上并与所述至少一个电路基板修复区域邻接；以及

将至少一个激光束应用至施体基板，使得所述施体基板的至少一部分从所述施体基板分离，并转移至所述至少一个电路基板修复区域中的至少一个预定的电路基板位置和所述至少一个导体修复区域中的至少一个预定的导体位置，由此在所述至少一个导体修复区域处至少部分地与所述导体的一部分重叠，并在所述至少一个电路基板修复区域中形成所述导体的至少一个延伸部。

17.如权利要求16所述的修复电路的方法，其中，所述预处理包括激光剥蚀。

18.如权利要求16所述的修复电路的方法，其中，所述预处理和所述应用是由同一激光器实施的。

19.如权利要求18所述的修复电路的方法，其中，所述预处理和所述应用是由同一激光器以不同的功率等级实施的。

20.如权利要求18所述的修复电路的方法，其中，所述基板修复区域的预处理和所述导体修复区域的预处理是由同一激光器以不同的功率等级实施的。

21.如权利要求20所述的修复电路的方法，其中，所述基板修复区域的预处理和所述导体修复区域的预处理包括不同程度的表面粗糙化。