[发明专利]用于生成激光束辐射轨迹的方法

权利要求书

1.一种处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，使一半导体封装制造机沿着一螺旋轨迹辐射一激光束至所述半导体封装的一模具部分用以形成一通孔，所述方法包括以下步骤：

(a)于一激光束辐射装置的一控制器内储存的多个螺旋轨迹图样类型中选择一图样类型；

(b)通过输入与所选的螺旋轨迹图样相关的信息而生成一螺旋轨迹；及

(c)输入与所述螺旋轨迹有关的激光束辐射条件。

2.根据权利要求1所述的处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，其中，储存于所述控制器中的所述螺旋轨迹图样类型包括：

等间距图样类型，在每一这些图样中，自一内部端始，至一外部端止，所述螺旋轨迹的固定间距(G)维持不变；

渐增/减型螺旋轨迹图样类型，在每一这些图样中，自一内部端始，至一外部端止，所述螺旋轨迹的间距(G)逐渐增加或减小；

及

分段式螺旋轨迹图样类型，在每一这些图样中，自一段至另一段，所述螺旋轨迹的间距(G)各不相同。

3.根据权利要求1所述的处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，其中，所述步骤(b)中输入的与所述螺旋轨迹图样有关的信息包括至少以下信息之一：有关所述螺旋轨迹的方向的信息、有关所述螺旋轨迹的一最内部轨迹的直径(Is)的信息、有关所述螺旋轨迹的最外部轨迹的直径(Os)的信息、有关所述螺旋轨迹的间距(G)的信息。

4.根据权利要求3所述的处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，其中，所述步骤(b)中输入的有关所述螺旋轨迹图样的信息进一步包括至少以下信息之一：有关所述螺旋轨迹的间距变化量的信息、有关所述螺旋轨迹的最大间距(G_max)的信息、有关所述螺旋轨迹的最小间距(G_min)的信息、有关每一段所述螺旋轨迹的间距(G)的信息、及有关所述半导体封装的焊球垫的直径的信息。

5.根据权利要求3所述的处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，其中，所述步骤(b)中输入的有关所述螺旋轨迹的信息进一步包括是否生成一轮廓连接轨迹(OL)的信息，所述轮廓连接轨迹(OL)用于连接所述螺旋轨迹的所述最外部轨迹与一圆。

6.根据权利要求1所述的处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，其中，所述步骤(c)中输入的激光束辐射条件包括至少以下信息之一：有关一激光束辐射速度的信息、有关一激光束强度的信息、及有关激光束辐射次数的信息。

7.根据权利要求1所述的处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，其中，在所述步骤(c)中输入所述激光束辐射条件之际，所述激光束的辐射方向设置为自所述螺旋轨迹的外侧至其内侧。

8.一种处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，使半导体封装制造机沿着一螺旋轨迹辐射一激光束至一半导体封装的一模具部分，用以形成一通孔，所述方法包括以下步骤：

(a)输入与一分段式螺旋图样类型有关的信息用以形成所述螺旋轨迹，所述分段式螺旋图样类型形成的所述螺旋轨迹的间距(G)自一段至另一段各不相同；及

(b)输入激光束辐射条件。

9.根据权利要求8所述的处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，其中，所述步骤(a)中输入的有关所述螺旋轨迹的信息包括至少以下信息其中之一：有关所述螺旋轨迹方向的信息、有关所述螺旋轨迹的一最内部轨迹的直径(Is)的信息、有关所述螺旋轨迹的最外部轨迹的直径(Os)的信息、有关每一段所述螺旋轨的间距(G)的信息、有关每一段所述螺旋轨迹的间距变化量的信息、有关每一段所述螺旋轨迹的最大间距(G_max)的信息、有关每一段所述螺旋轨迹的最小间距(G_min)的信息、及有关所述半导体封装的焊球垫的直径的信息。

10.根据权利要求9所述的处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，其中，步骤(a)中输入的有关所述螺旋轨迹的信息进一步包括与一轮廓连接轨迹(OL)生成与否相关的信息，所述轮廓连接轨迹(OL)连接所述螺旋轨迹的所述最外部轨迹与一圆。

11.根据权利要求8所述的处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，其中，步骤(b)中输入的所述激光束辐射条件包括至少以下信息之一：有关激光束辐射速度的信息、有关激光束强度的信息、及有关激光束辐射次数的信息。

12.根据权利要求8所述的处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，其中，在所述步骤(b)中输入所述激光束辐射条件之时，所述激光束的辐射方向设置为自所述螺旋轨迹的外侧至其内侧。