[发明专利]减少存储器装置中的泄漏电流有效
申请号: | 201080005309.X | 申请日: | 2010-02-02 |
公开(公告)号: | CN102292777A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 陈南;迈赫迪·哈米迪·萨尼;里图·哈巴 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G11C17/18 | 分类号: | G11C17/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减少 存储器 装置 中的 泄漏 电流 | ||
1.一种存储器装置,其包含:
存储器核心阵列,其包括多个位线;
外围逻辑,其经配置以与所述存储器核心阵列介接;
至少一个脚开关,其经配置以隔离所述外围逻辑;以及
头开关,其经配置以使预充电电流路径与到所述存储器核心阵列的所述多个位线的供应电压隔离。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述头开关是由用作所述存储器核心阵列的一部分的多个预充电晶体管形成。
3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中每一预充电晶体管与所述多个位线中的一者相关联。
4.根据权利要求2所述的存储器装置,其进一步包含:
第一逻辑门,其耦合到所述预充电晶体管,其中所述逻辑门经配置以接收休眠模式信号和预充电信号。
5.根据权利要求4所述的存储器装置,其中所述第一逻辑门为与非门,其具有耦合到所述预充电晶体管的栅极的输出。
6.根据权利要求4所述的存储器装置,其进一步包含:
多路复用器;以及
读出放大器,其中所述多路复用器将所述多个所述位线耦合到所述读出放大器。
7.根据权利要求6所述的存储器装置,其进一步包含:
第二逻辑门,其耦合到第三逻辑门,其中所述第二逻辑门经配置以接收休眠模式信号和感测信号,且其中所述第二和第三逻辑门经配置以在休眠模式期间输出信号来隔离所述读出放大器。
8.根据权利要求7所述的存储器装置,其中所述第二逻辑门为与非门,且所述第三逻辑门为反相器。
9.根据权利要求7所述的存储器装置,其中来自所述第二逻辑门的输出耦合到PMOS晶体管以使高电压供应器与所述读出放大器隔离,且所述第三逻辑门的输出耦合到NMOS晶体管以使低电压供应器与所述读出放大器隔离。
10.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述存储器装置为只读存储器(ROM)。
11.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包含其中集成有所述存储器装置的电子装置,所述电子装置选自由以下各物组成的群组:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元,和计算机。
12.一种减少存储器装置中的泄漏电流的方法,所述方法包含:
进入休眠模式;
在所述休眠模式期间用脚开关使外围逻辑与接地电压隔离;以及
在所述休眠模式期间用头开关隔离到存储器核心阵列内所包括的多个位线的预充电电流路径。
13.根据权利要求12所述的方法,其中由用作所述存储器核心阵列的一部分的多个预充电晶体管形成所述头开关。
14.根据权利要求13所述的方法,其中每一预充电晶体管与所述多个位线中的一者相关联。
15.根据权利要求13所述的方法,其进一步包含:
在第一逻辑门处接收休眠模式信号;以及
断开所述多个预充电晶体管以使所述多个位线与所述预充电电流路径隔离。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述第一逻辑门为具有耦合到所述预充电晶体管的栅极的输出的与非门。
17.根据权利要求15所述的方法,其进一步包含:
在第二逻辑门处接收休眠模式信号;
将第一感测信号输出到第三逻辑门;
从所述第三逻辑门输出第二感测信号,以及
在所述休眠模式期间响应于所述第一和第二感测信号而隔离读出放大器。
18.根据权利要求17所述的方法,其中所述第二逻辑门为与非门,且所述第三逻辑门为反相器。
19.根据权利要求12所述的方法,其中所述存储器装置为只读存储器(ROM)。
20.一种存储器装置,其包含:
用于接收休眠模式信号以进入休眠模式的装置;
用于在所述休眠模式期间使外围逻辑与接地电压隔离的装置,所述外围逻辑经配置以与存储器核心阵列介接;以及
用于在所述休眠模式期间使预充电电流路径与所述存储器核心阵列内所包括的多个位线隔离的装置。
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