[发明专利]光电转换装置和照相机

权利要求书

1.一种光电转换装置，包括：

p型区域；

n型埋置层，所述n型埋置层在所述p型区域下面形成；

元件隔离区域；以及

沟道阻断区域，所述沟道阻断区域至少覆盖所述元件隔离区域的下部部分，

其中，所述p型区域和所述埋置层形成光电二极管，并且，所述沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比所述埋置层的主要杂质的扩散系数小。

2.根据权利要求1的装置，其中，所述沟道阻断区域的主要杂质是砷，并且所述埋置层的主要杂质是磷。

3.根据权利要求1或2的装置，还包括：

浮置扩散；

传送晶体管，所述传送晶体管将存储于所述p型区域中的空穴传送到所述浮置扩散；

放大器晶体管，所述放大器晶体管放大在所述浮置扩散中出现的信号；以及

复位晶体管，所述复位晶体管将所述浮置扩散的电势复位，

其中，所述放大器晶体管的沟道宽度比所述复位晶体管的沟道宽度大。

4.根据权利要求1～3中的任一项的装置，还包括：

浮置扩散；

传送晶体管，所述传送晶体管将存储于所述p型区域中的空穴传送到所述浮置扩散；

复位晶体管，所述复位晶体管将所述浮置扩散的电势复位；以及

放大器晶体管，所述放大器晶体管放大在所述浮置扩散中出现的信号，

其中，所述放大器晶体管具有埋置沟道结构，并且，所述复位晶体管具有表面沟道结构。

5.根据权利要求3或4的装置，其中，所述元件隔离区域被布置以隔离要形成所述光电二极管、所述传送晶体管、所述放大器晶体管和所述复位晶体管的有源区域。

6.根据权利要求1～5中的任一项的装置，还包括：

n型表面区域，

其中，在所述表面区域下面形成所述p型区域，并且，

所述表面区域的主要杂质与所述沟道阻断区域的主要杂质相同。

7.根据权利要求1～6中的任一项的装置，其中，所述光电转换装置形成为背面照明型光电转换装置。

8.一种照相机，包括：

根据权利要求1～7中的任一项的光电转换装置；和

处理由所述光电转换装置获得的信号的信号处理器。