[发明专利]制造烷基铝的方法有效
| 申请号： | 201080006588.1 | 申请日： | 2010-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102307888A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·P·克拉克;弗朗西斯·J·蒂莫西;凯文·A·弗拉吉尔 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | C07F15/02 | 分类号： | C07F15/02;C07F15/06;C07F5/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 烷基 方法 | ||
1.一种式(I)的异构化/铝氢化催化剂：
其中：
R1和R6中的每个独立地是(C1-C40)烃基；
R2，R3，R4和R5中的每个独立地是氢原子或(C1-C40)烃基；
每个L独立地是卤代，氢原子，(C1-C40)烃基，(C1-C40)杂烃基，(C1-C40)烃基C(O)N(H)-，(C1-C40)烃基C(O)N((C1-C20)烃基)-，(C1-C40)烃基C(O)O-，RKRLN-，RLO-，RLS-或RKRLP-，其中每个RK和RL独立地是氢原子，(C1-C40)烃基，[(C1-C10)烃基]3Si，[(C1-C10)烃基]3Si(C1-C10)烃基或(C1-C40)杂烃基，或RK和RL合在一起形成(C2-C40)亚烃基或(C1-C40)亚杂烃基，其中每个L独立地是被键接至M上的单阴离子部分；并且
每个M独立地是金属，所述金属是铁，镍，铜或锌，所述金属处于+2的形式氧化态；
上述(C1-C40)烷基，(C1-C10)烃基，(C1-C20)烃基，(C1-C40)烃基，(C1-C40)杂烃基，(C2-C40)亚烃基和(C1-C40)亚杂烃基中的每个独立地与另一个相同或不同并且独立地是未取代的或被一个或多个取代基RS取代的；并且
每个RS独立地是卤代，多氟代，全氟代，未取代的(C1-C18)烃基，F3C-，FCH2O-，F2HCO-，F3CO-，氧代(即，＝O)，R3Si-，RO-，RS-，RS(O)-，RS(O)2-，R2P-，R2N-，R2C＝N-，NC-，RC(O)O-，ROC(O)-，RC(O)N(R)-或R2NC(O)-，其中每个R独立地是未取代的(C1-C18)烃基。
2.如权利要求1所述的异构化/铝氢化催化剂，其中M是铁。
3.如权利要求1所述的异构化/铝氢化催化剂，其中所述式(I)的异构化/铝氢化催化剂是式(I-A)的异构化/铝氢化催化剂：
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