[发明专利]封装的电致发光设备有效
申请号: | 201080006745.9 | 申请日: | 2010-01-29 |
公开(公告)号: | CN102308408A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | H.F.博尔纳 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李亚非;刘鹏 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 电致发光 设备 | ||
1.一种电致发光设备(10),包括:
衬底(40)以及位于衬底之上的衬底电极(20)、反电极(30)以及布置在衬底(20)和反电极(30)之间具有至少一个有机电致发光层从而发射光的电致发光层叠层(50),以及
不导电的封装装置(70),其布置在衬底电极(20)上成为封闭轮廓,该封闭轮廓具有对该电致发光层叠层加框的内边缘和外边缘,
其中该电致发光层叠层至少完全覆盖在衬底电极之上由轮廓的内边缘限定的区域,并且形成轮廓的外边缘和电致发光层叠层的边缘之间的邻接的第一间隙,以及
其中该反电极完全覆盖电致发光层叠层,形成轮廓的外边缘和反电极边缘之间的邻接的第二间隙,该第二间隙小于第一间隙并且足够大以将该反电极与该衬底电极隔离,
其中该封装装置适合于用作扩散阻挡层,从而提供该电致发光层叠层的侧面封装。
2.根据权利要求1的电致发光设备,其特征在于该封装装置包括下述材料群组中的至少一种材料:SiO、SiO2、TiO2、氮化物、优选地SiN、氟化物、优选地CaF2、玻璃、再熔玻璃料、UHV漆、氧化的金属、优选地阳极化铝。
3.根据权利要求1或2的电致发光设备,其特征在于平滑层布置在该衬底电极之上,至少覆盖该轮廓的内边缘从而使该轮廓的内边缘平滑。
4.根据权利要求3的电致发光设备,其特征在于该平滑层作为边沿布置在该轮廓的内边缘处,该边沿宽度小于在平行于衬底电极的方向上该封装装置的宽度。
5.根据权利要求3或4的电致发光设备,其特征在于该平滑层包括下述优选地不导电的材料群组中的至少一种材料:胶、聚合物、漆、涂料、墨水。
6.根据任一前述权利要求的电致发光设备,其特征在于在该封装装置至少部分地被反电极覆盖的位置处,至少一个接触装置布置在该封装装置之上从而形成反电极和电源之间的电连接。
7.根据权利要求6的电致发光设备,其特征在于该接触装置包括下述材料群组中的至少一种材料:导电胶、导电漆、导电涂料、导电墨水。
8.根据任一前述权利要求的电致发光设备,其特征在于该反电极适合于优选地经由电镀工艺被加厚,更优选地该反电极是由铝制成。
9.根据任一前述权利要求的电致发光设备,其特征在于该反电极使用扩散阻挡封装,优选地使用薄膜扩散阻挡封装。
10.一种提供根据权利要求1的电致发光设备的方法,包括下述步骤:
在衬底之上沉积衬底电极,
在衬底电极之上沉积作为封装装置的具有内边缘和外边缘的封闭轮廓,
在衬底电极之上沉积电致发光层叠层,该电致发光层叠层完全覆盖在该衬底电极之上由该轮廓的内边缘限定的区域,并且形成该轮廓的外边缘和该电致发光层叠层的边缘之间的邻接的第一间隙,以及
沉积完全覆盖该电致发光层叠层的反电极,形成该轮廓的外边缘和该反电极边缘之间的邻接的第二间隙,该第二间隙小于该第一间隙,从而将该反电极与该衬底电极隔离。
11.根据权利要求10的方法,其特征在于该方法还包括在该衬底电极之上沉积至少覆盖该轮廓的内边缘从而使该轮廓的内边缘平滑的平滑层的步骤,该平滑层优选地作为边沿沉积在该轮廓的内边缘,该边沿的宽度小于在沉积该封装装置之后在平行于衬底电极的方向上该封装装置的宽度。
12.根据权利要求10或11的方法,还包括在该封装装置之上在该封装装置预先至少部分地被该反电极覆盖的位置处施加接触装置的步骤。
13.根据权利要求10至12中任意一项的方法,还包括通过加厚该反电极或者在该反电极之上施加附加扩散阻挡来加固反电极的封装属性的步骤。
14.使用布置在衬底之上的衬底电极上、对布置在衬底电极上的电致发光层叠层加框的封闭轮廓来用作电致发光层的侧面的封装装置,将衬底电极与电致发光层叠层之上的反电极隔离,以及实现反电极与在封闭轮廓之上的接触装置接触。
15.一种衬底,其被将在根据权利要求1的电致发光设备中用作衬底电极的仅仅一个邻接的电极以及布置在衬底电极上作为封闭轮廓的不导电的封装装置覆盖。
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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