[发明专利]加工对象物的切断方法

权利要求书

1.一种加工对象物的切断方法，通过对具备硅基板的板状加工对象物照射激光，从而沿着所述加工对象物的切断预定线，在所述硅基板中形成改质区域，并且以所述改质区域为切断起点，沿着所述切断预定线切断所述加工对象物，其特征在于，包含：

通过形成第1改质区域作为所述改质区域，使第1龟裂沿着所述切断预定线从所述第1改质区域朝所述加工对象物的一个主面产生，并且，相对于所述第1改质区域在所述加工对象物的另一个主面侧，以与所述第1改质区域之间存在非改质区域的方式形成第2改质区域作为所述改质区域，从而以在所述非改质区域中不与所述第1龟裂连接的方式，使第2龟裂沿着所述切断预定线从所述第2改质区域朝所述另一个主面产生的工序；以及

在所述加工对象物上使应力产生，从而连接所述第1龟裂与所述第2龟裂，沿着所述切断预定线切断所述加工对象物的工序。

2.如权利要求1所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

以如下方式形成所述第1改质区域及所述第2改质区域：在沿着所述切断预定线切断的所述加工对象物的一对切断面中，在其中一个切断面的所述非改质区域形成在与所述硅基板的厚度方向交叉的方向上延伸的凸部，并且在另一个切断面的所述非改质区域形成对应于所述凸部的凹部。

3.如权利要求2所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

以如下方式形成所述第1改质区域及所述第2改质区域：将所述硅基板的主面当作(100)面，所述切断面成为(110)面，形成所述凸部及所述凹部的面成为(111)面。

4.如权利要求2所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

以如下方式形成所述第1改质区域及所述第2改质区域：所述凸部的高度成为2μm～6μm，所述硅基板的厚度方向上的所述凸部的宽度成为6μm～17μm。

5.如权利要求1所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

沿着所述切断预定线在所述硅基板的厚度方向上形成多列所述第1改质区域。

6.如权利要求1所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

沿着所述切断预定线在所述硅基板的厚度方向上形成多列所述第2改质区域。

7.如权利要求1所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

所述改质区域包含熔融处理区域，该熔融处理区域为从单晶结构变化至非晶质结构的区域、从单晶结构变化至多晶结构的区域、或从单晶结构变化至包含非晶质结构及多晶结构的结构的区域，而所述非改质区域为单晶结构的区域。

8.如权利要求1所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

所述激光的波长为1080nm以上。

9.如权利要求1所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

以所述硅基板的厚度方向上的所述非改质区域的宽度成为所述硅基板的厚度的10％～30％的方式，形成所述第1改质区域及所述第2改质区域。

10.如权利要求1所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

在形成所述第1改质区域之后且形成所述第2改质区域之前，在所述第1改质区域与所述第2改质区域之间存在的所述非改质区域，形成第3改质区域作为所述改质区域，此时，

基于包含品质图案的调制图案，用空间光调制器调制所述激光，该品质图案具有：在与所述切断预定线交叉的方向上延伸的第1亮度区域；以及在所述切断预定线的延伸方向上与所述第1亮度区域的两侧邻接的第2亮度区域。

11.如权利要求10所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

在形成所述第3改质区域时，所述调制图案包含：所述品质图案；个体差校正图案，用以校正在激光加工装置产生的个体差；球面像差校正图案，用以校正相应于所述加工对象物的材料以及从所述加工对象物的激光入射面至所述激光的聚光点为止的距离而产生的球面像差，

在形成所述第1改质区域及所述第2改质区域时，基于包含所述个体差校正图案及所述球面像差校正图案的调制图案，用空间光调制器调制所述激光。

12.如权利要求10或11所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

形成所述第3改质区域时的所述激光的聚光点成为多个点状的区域沿着所述切断预定线的延伸方向并排设置的形状。

13.如权利要求1～12中任一项所述的加工对象物的切断方法，其特征在于，

通过切断所述加工对象物来制造半导体装置。