[发明专利]加工对象物的切断方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种加工对象物的切断方法，其用于沿着切断预定线切断具备硅基板的板状加工对象物。

背景技术

作为现有技术中的上述技术领域的加工对象物的切断方法，已知如下方法：通过对具备硅基板的板状加工对象物照射例如波长为1300nm的激光，沿着加工对象物的切断预定线在硅基板中形成将成为切断的起点的改质区域(例如，参照专利文献1)。

[专利文献]

(专利文献1)日本特开2006-108459号公报

发明内容

(发明所要解决的课题)

波长为1300nm的激光在硅基板中的透过率比例如波长为1064nm的激光高，所以当使用波长为1300nm的激光时，即使位于距离硅基板的激光入射面较深的位置，仍可形成较大的改质区域。因此，在沿着切断预定线而在硅基板的厚度方向上形成多列改质区域以切断加工对象物时，可以减少该改质区域的列数，从而能够实现作业时间(tact time)的缩短化。

但是，当使用波长为1300nm的激光时，一方面能够形成较大的改质区域，而另一方面，当在硅基板的厚度方向上形成多列改质区域时，会有龟裂在硅基板的厚度方向连续地进行，并且会有龟裂在加工对象物的主面上蛇行等现象，从而有可能降低加工对象物的切断精度。

本发明是鉴于上述情况而开发完成的，其目的在于提供一种加工对象物的切断方法，其能够减少沿着切断预定线而形成于硅基板的厚度方向的改质区域的列数，并且能够沿着切断预定线精度良好地切断具备硅基板的板状加工对象物。

(解决问题的手段)

为了达到上述目的，本发明的加工对象物的切断方法是，通过对具备硅基板的板状加工对象物照射激光，从而沿着加工对象物的切断预定线，在硅基板中形成改质区域，并且以改质区域为切断起点，沿着切断预定线切断加工对象物，其特征在于，包含：通过形成第1改质区域作为改质区域，使第1龟裂沿着切断预定线从第1改质区域朝加工对象物的一个主面产生，并且，相对于第1改质区域在加工对象物的另一个主面侧，以与第1改质区域之间存在非改质区域的方式形成第2改质区域作为改质区域，从而以在非改质区域中不与第1龟裂连接的方式，使第2龟裂沿着切断预定线从第2改质区域朝另一个主面产生的工序；以及，在加工对象物上使应力产生，从而连接第1龟裂与第2龟裂，并沿着切断预定线切断加工对象物的工序。

在该加工对象物的切断方法中，在第1改质区域与第2改质区域之间存在非改质区域的状态下，使第1龟裂从第1改质区域朝加工对象物的一个主面产生，并且使第2龟裂从第2改质区域朝加工对象物的另一个主面产生。由此，在硅基板的厚度方向上形成多列改质区域时，即使为了减少该改质区域的列数而使用波长比1064nm还长的激光，也能够防止龟裂在硅基板的厚度方向上连续地进行。并且，在该加工对象物的切断方法中，通过在加工对象物上使应力产生，从而连接第1龟裂与第2龟裂并切断加工对象物。由此，能够防止加工对象物的主面上的龟裂蛇行等，并且能够沿着切断预定线精度良好地切断加工对象物。如上所述，根据该加工对象物的切断方法，能够减少沿着切断预定线在硅基板的厚度方向上形成的改质区域的列数，并且能够沿着切断预定线精度良好地切断具备硅基板的板状加工对象物。

另外，优选，以如下方式形成第1改质区域及第2改质区域：在沿着切断预定线切断的加工对象物的一对切断面中，在其中个切断面的非改质区域形成在与硅基板的厚度方向交叉的方向上延伸的凸部，并且在另一个切断面的非改质区域形成对应于凸部的凹部。当如此地形成第1改质区域及第2改质区域时，能够更加可靠地防止龟裂在硅基板的厚度方向上连续地进行，并且能够连接第1龟裂与第2龟裂，从而沿着切断预定线精度良好地切断加工对象物。

此时，优选，以如下方式形成第1改质区域及第2改质区域：将硅基板的主面当作(100)面，切断面成为(110)面，形成凸部及凹部的面成为(111)面。通过如此地形成第1改质区域及第2改质区域，从而在沿着切断预定线切断加工对象物时，能够抑制凸部的高度及凹部的深度，由此获得更平滑的切断面。

进一步，优选，以如下方式形成第1改质区域及第2改质区域：凸部的高度成为2μm～6μm，硅基板的厚度方向上的凸部的宽度成为6μm～17μm。通过如此地形成第1改质区域及第2改质区域，从而在沿着切断预定线切断加工对象物时，不仅能够防止加工对象物的主面上的龟裂蛇行等，还能够防止破裂残留。