[发明专利]发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法有效
申请号: | 201080007063.X | 申请日: | 2010-02-09 |
公开(公告)号: | CN102308405A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 原田健史;竹内孝之;西山诚司;小松隆宏 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/22 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 周春燕;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 显示装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种发光元件,其将第1电极、电荷注入输送层、发光层、第2电极按该顺序层叠且至少对所述发光层通过堤栏进行规定,
所述堤栏至少其表面为拨液性,另一方面,所述电荷注入输送层包含与所述堤栏的表面相比较具有亲液性的金属化合物;并且
所述电荷注入输送层在以堤栏规定的区域形成为与堤栏底面的水平相比下沉的凹入结构。
2.按照权利要求1所述的发光元件,
所述凹入结构为杯状。
3.按照权利要求1所述的发光元件,
所述凹入结构为从与堤栏的下端缘相当的部位起下沉的结构。
4.按照权利要求1所述的发光元件,
所述金属化合物为金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。
5.按照权利要求1所述的发光元件,
所述发光层包含由高分子材料构成的层。
6.按照权利要求1所述的发光元件,
所述电荷注入输送层沿着堤栏底面向相邻的像素方向扩展。
7.一种发光元件,其将第1电极、电荷注入输送层、发光层、第2电极按该顺序层叠且至少对所述发光层通过堤栏进行规定,
所述电荷注入输送层包含对于预定溶剂可以溶解的金属化合物,具有通过所述预定溶剂而溶解形成的凹入部;
所述电荷注入输送层的所述凹入部具有:
与所述发光层的底面接触的内底面;以及
与所述内底面连续且与所述发光层的侧面的至少一部分接触的内侧面。
8.按照权利要求7所述的发光元件,
所述电荷注入输送层具有亲液性,所述堤栏具有拨液性。
9.按照权利要求7所述的发光元件,
所述预定溶剂为用于在形成所述堤栏时除去抗蚀剂膜的一部分的显影液和/或用于清洗在所述堤栏形成后残留的抗蚀剂残渣的清洗液。
10.按照权利要求7所述的发光元件,
所述电荷注入输送层为包含金属氧化物的空穴注入层。
11.按照权利要求7所述的发光元件,
所述金属氧化物为钨或钼的氧化物。
12.一种显示装置,包括权利要求1~11中的任意一项所述的发光元件件。
13.一种发光元件的制造方法,包括:
第1工序,在基板上形成第1电极;
第2工序,在所述第1电极的上方,形成包含对于预定溶剂可以溶解的金属化合物的薄膜;
第3工序,在所述薄膜上,形成包含抗蚀剂材料的抗蚀剂膜,通过显影液进行蚀刻处理,形成堤栏;
第4工序,在形成所述堤栏后,使用清洗液对附着于所述薄膜表面的抗蚀剂残渣进行清洗,并且通过所述清洗液使所述薄膜的一部分溶解,形成电荷注入输送层,所述电荷注入输送层具有凹入部,所述凹入部具备内底面和与所述内底面连续的内侧面;
第5工序,使墨滴落于通过所述堤栏规定的区域内,使其沿着所述电荷注入输送层的所述内底面及所述内侧面涂敷并干燥,形成发光层;以及
第6工序,在所述发光层的上方,形成第2电极。
14.一种发光元件的制造方法,包括:
第1工序,在基板上形成第1电极;
第2工序,在所述第1电极的上方,形成包含对于预定溶剂可以溶解的金属化合物的薄膜;
第3工序,在所述薄膜上,形成包含抗蚀剂材料的抗蚀剂膜,通过显影液进行蚀刻处理,形成堤栏,并且通过所述显影液对附着于薄膜表面的抗蚀剂残渣进行清洗,且使所述薄膜的一部分溶解,形成电荷注入输送层,所述电荷注入输送层具有凹入部,所述凹入部具备内底面和与所述内底面连续的内侧面;
第4工序,使墨滴落于通过所述堤栏规定的区域内,使其沿着所述电荷注入输送层的所述内底面及所述内侧面涂敷并干燥,形成发光层;以及
第5工序,在所述发光层的上方,形成第2电极。
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