[发明专利]发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法有效
申请号: | 201080007063.X | 申请日: | 2010-02-09 |
公开(公告)号: | CN102308405A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 原田健史;竹内孝之;西山诚司;小松隆宏 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/22 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 周春燕;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 显示装置 以及 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法,尤其涉及用于平板显示器等的有机EL元件。
背景技术
以往以来,在有机EL元件的制造工艺中,以利用喷墨法实现的图案形成而形成发光层。喷墨法是适于在微小区域形成均匀的薄膜图案的方法,通过使包含有机EL材料的组合物墨(以下,简称为“墨”)滴落于以堤栏规定的各像素区域并使之干燥,在这些像素区域形成均匀的薄膜图案。
在采用上述方法的情况下,例如,对堤栏表面实施利用氟等离子实现的拨液处理。由此,因为堤栏表面对于墨的浸润性变差,所滴落的墨难以越过堤栏流出至相邻的像素区域,所以可以实现高精细的图案形成。
进而,在专利文献1中,公开了如下技术:通过将堤栏设定为包含拨水性材料的上层部和包含亲液性材料的下层部的二层结构,在堤栏上层部使对于墨的浸润性变差、使得墨难以流出,在堤栏下层部使对于墨的浸润性良好、使墨容易滞留于像素区域,来更加高精细地对发光层进行图案形成。
专利文献1:特开2003-249375号公报
但是,若将堤栏设定为二层结构,则与一层结构的情况相比较,有机EL元件的制造成本会按工序数增加的量而变高。
发明内容
本发明鉴于上述的课题,目的在于提供对发光层高精细地进行图案形成且可以低成本地制造的发光元件。
本发明一方式所涉及的发光元件,将第1电极、电荷注入输送层、发光层、第2电极按该顺序层叠且至少对所述发光层通过堤栏进行规定,所述堤栏至少其表面为拨液性,另一方面,所述电荷注入输送层包含与所述堤栏的表面相比较具有亲液性的金属化合物;并且所述电荷注入输送层在以堤栏规定的区域形成为与堤栏底面的水平相比下沉的凹入结构。
本发明的一方式所涉及的发光元件,因为电荷注入输送层在以堤栏规定的区域形成为与堤栏底面的水平相比下沉的凹入结构,所以能够在制造工艺中使滴落于以堤栏规定的区域的墨的下部滞留于该凹入部内。而且,凹入部的内面,因为电荷注入输送层包含与堤栏的表面相比较具有亲液性的金属化合物、对于墨的浸润性良好,所以能够使凹入部内的墨稳定地滞留。从而,墨难以越过堤栏而流出至相邻的像素区域,可以实现发光层的高精细的图案形成。而且,凹入部因为能够通过例如用纯水溶解电荷注入输送层的一部分等而简单地形成,不需要如专利文献1的发光元件那样用于将堤栏设定为二层结构的繁杂的工序,所以可以低成本地实施。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的发光元件的各层的层叠状态的示意图。
图2是图1中的由一点划线包围的部分的放大图。
图3是表示变形例所涉及的发光元件的由图1中的一点划线包围的部分的放大图。
图4是表示变形例所涉及的发光元件的由图1中的一点划线包围的部分的放大图。
图5是用于说明发光层的最佳膜厚的示意图。
图6是表示变形例所涉及的发光元件的由图1中的一点划线包围的部分的放大图。
图7是说明第1实施方式所涉及的发光元件的制造方法的工序图。
图8是与图7接续的、说明第1实施方式所涉及的发光元件的制造方法的工序图。
图9是表示第2实施方式所涉及的发光元件的各层的层叠状态的示意图。
图10是说明第2实施方式所涉及的发光元件的制造方法的工序图。
图11是表示第3实施方式所涉及的发光元件的各层的层叠状态的示意图。
图12是说明第3实施方式所涉及的发光元件的制造方法的工序图。
图13是表示第4实施方式所涉及的显示装置等的立体图。
符号的说明
2、102、102第1电极,4、104、204电荷注入输送层,4a凹入部,4c凹入部的内底面,4d凹入部的内侧面,5、105、205堤栏,5a堤栏的底面,5d堤栏的下端缘,6、106、206发光层,6a发光层的底面,6b发光层的侧面,8、108、208第2电极,300显示装置。
具体实施方式
[本发明的一方式的概要]
本发明的一方式所涉及的发光元件,将第1电极、电荷注入输送层、发光层、第2电极按该顺序层叠且至少对所述发光层通过堤栏进行规定,所述堤栏至少其表面为拨液性,另一方面,所述电荷注入输送层包含与所述堤栏的表面相比较具有亲液性的金属化合物;并且所述电荷注入输送层在以堤栏规定的区域形成为与堤栏底面的水平相比下沉的凹入结构。
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