[发明专利]交叉点存储器结构及形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种形成存储器阵列的方法，其包括：

在基底上方形成第一电极材料；

在所述第一电极材料上方形成存储器单元堆叠；所述存储器单元堆叠从所述第一电极材料起以升序包含第一绝缘体材料、至少一种额外绝缘体材料、导电材料及存储器元件材料；

将所述第一电极材料及所述存储器单元堆叠图案化成主要沿第一水平方向延伸的第一组间隔线条；

在所述第一组的所述间隔线条之间形成电介质材料；

在所述第一组间隔线条上方及在所述电介质材料上方形成第二电极材料的间隔线条，第二电极材料的所述线条为第二组间隔线条且主要沿正交于所述第一水平方向的第二水平方向延伸；及

从所述第二组的所述线条之间的区域移除所述存储器单元堆叠的存储器元件材料及导电材料以留下存储器单位单元阵列，个别存储器单位单元包括在所述第一电极材料与所述第二电极材料之间的所述存储器单元堆叠。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除所述单元堆叠的所述存储器元件材料及所述导电材料发生在形成所述第二电极材料的所述间隔线条之前。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除所述单元堆叠的所述存储器元件材料及所述导电材料发生在形成所述第二电极材料的所述间隔线条之后。

4.根据权利要求1所述的方法，其中直接在所述存储器单元堆叠的所述第一组间隔线条上方形成第二电极材料的所述间隔线条，且在所述移除所述存储器堆叠的所述存储器元件材料及所述导电材料期间将第二电极材料的所述间隔线条用作导电硬掩模。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第一组间隔线条上方及在所述电介质材料上方形成经图案化掩模，所述经图案化掩模包括主要沿所述第二水平方向延伸的间隔线条；及

在所述经图案化掩模的所述间隔线条之间的空间内形成所述第二电极材料以借此形成第二电极材料的间隔线条。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述电介质材料为第一电介质材料，且所述方法进一步包括在形成所述第二电极材料之后用第二电介质材料取代所述经图案化掩模的所述间隔线条。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二电介质材料为与所述第一电介质材料相同的组合物。

8.根据权利要求5所述的方法，其中最初在所述经图案化掩模的所述间隔线条上方以及在所述经图案化掩模的所述间隔线条之间形成所述第二电极材料，且所述方法进一步包括平面化所述第二电极材料以从所述经图案化掩模的所述间隔线条上方移除所述第二电极材料，而留下所述经图案化掩模的所述间隔线条之间的所述第二电极材料。

9.根据权利要求5所述的方法，其中所述经图案化掩模为第二经图案化掩模，且其中所述将所述第一电极材料及所述存储器单元堆叠图案化成所述第一组间隔线条包括：

在所述存储器单元堆叠上方形成第一经图案化掩模，所述第一经图案化掩模包括沿所述第一水平方向延伸的多个间隔线条；及

通过一个或一个以上蚀刻将来自所述第一经图案化掩模的图案转印穿过所述存储器单元堆叠及所述第一电极材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中当在所述第一组的所述间隔线条之间形成所述电介质材料时所述第一经图案化掩模保留于所述第一组线条上方。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一经图案化掩模包括非晶碳、透明碳、二氧化硅、氮化硅及氧氮化硅中的一者或一者以上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二经图案化掩模包括非晶碳、透明碳、二氧化硅、氮化硅及氧氮化硅中的一者或一者以上。

13.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一电极材料具有相对于所述存储器单元堆叠的所述导电材料为低的功函数，

所述第一电极材料包括选自由氮化钽硅、铬及钽组成的群组的一种或一种以上组合物，且

所述存储器单元堆叠的所述导电材料包括选自由铂、氮化钛及氮化钽组成的群组的一种或一种以上组合物。

14.根据权利要求1所述的方法，其中除所述存储器元件材料及所述导电材料以外，还从所述第二组的所述间隔线条之间移除所述存储器单元堆叠的一个或一个以上其它组件。