[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其中，具有：

激光照射工序，在构成晶片的基板的内部会聚脉冲激光，将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使龟裂发生，该龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且将邻接的所述加工部连接；

晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割所述晶片。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述龟裂将在所述基板的内部邻接的所述加工部连接。

3.根据权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述加工部具有头部和足部，所述龟裂将邻接的所述加工部的头部和足部连接。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述脉冲激光的会聚位置和所述基板的表面的距离，是所述脉冲激光的加工点直径的二分之一以上、25μm以下。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述脉冲激光的会聚位置和所述基板的表面的距离为5μm以上、25μm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述加工部间的距离是所述脉冲激光的加工点直径以上。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述加工部和所述龟裂在所述基板的厚度10％以上、80％以下的范围内形成。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述分割预定线是第一分割预定线，所述龟裂是第一龟裂，

在所述激光照射工序中，还沿着与所述第一分割预定线大体垂直的第二分割预定线，在所述基板的内部会聚脉冲激光，且将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使第二龟裂发生，该第二龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且使邻接的所述加工部连接，

在所述晶片分割工序中，还沿着所述第二分割预定线分割所述晶片。

9.根据权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述第一龟裂在邻接的所述加工部间迂回蔓延，所述第二龟裂沿着所述第二分割预定线蔓延。

10.根据权利要求8或9所述的半导体元件的制造方法，其中，

沿着所述第一分割预定线形成的所述加工部的间隔，比沿着所述第二分割预定线形成的所述加工部的间隔小。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述基板具有第一主面和第二主面，在所述第一主面设有半导体层，在所述激光照射工序中，从所述第二主面侧照射所述脉冲激光。

12.根据权利要求11所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述脉冲激光的会聚位置和所述半导体层的距离比30μm大。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述加工部是基于多光子吸收的加工部。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述基板是蓝宝石基板。

15.根据权利要求14所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述第二主面是与A面不同的面，所述第一分割预定线是与所述基板的a轴交叉的线。