[发明专利]半导体元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体元件的制造方法，特别是涉及具有分割包含基板在内的晶片的工序的半导体元件的制造方法。

背景技术

在半导体元件的制造中，包括将晶片分割成元件基片的工序，在该元件基片的分割中，所采用的是以切割机和划片机等形成分离槽而进行压切的方法。近年来，提出有取代切割机和划片机而通过照射激光来形成分离槽等进而进行切断的方法，但是，在通过激光的照射而使晶片加热熔融的方法中，熔融再凝固的地方会变色，发光元件的亮度降低，因此提出有使用短脉冲宽度的脉冲激光进行加工的方法。通过使用短脉冲宽度的脉冲激光，进行的是不会发生熔融、避免了多光子吸收造成的变色的加工，因此可以抑制发光元件的亮度降低。

作为使用了短脉冲宽度的脉冲激光的元件基片分割的方法，提出有一种切断的方法，其如图12所示，是在设有半导体层42的基板40内部的分割预定线所对应的区域中，形成由激光照射造成的变质区域41(参照特开2008-6492号公报)。

另外还提出有一种方法，如图13所示，是在设有半导体层52的基板50内部形成多级由激光照射造成的改质部51，再通过激光照射在基板50的表面形成连续的槽部53，由此从沿着多级的改质部51和槽部53的分离面分离各半导体发光元件(参照特开2008-98465号公报和特开2007-324326号公报)。

但是，只在基板的内部形成由脉冲激光造成的变质区域而进行晶片分割的方法中，通过施加外力，从内部的变质区域朝向基板的表面和背面使裂纹发生，由此进行割断，因此控制裂纹的走向会困难，会在不同于预期的分割区域的位置发生破裂。

另外，通过在基板表面照射激光而形成槽部的方法，是将历来由切割机和划片机形成的分离槽的形成手段变更成激光的方法，与利用切割机和划片机开分离槽的切断同样的是难以控制裂纹的走向。此外，若为了形成槽部而在基板表面会聚激光，则由于基板表面的凹凸和激光装置的聚光精度的问题，导致激光的焦点在基板的外侧合焦。如果在基板外的空气中合焦，则在这部分会发生等离子体，激光的能量的一部分被浪费。

发明内容

本发明者为了解决上述课题而进行了锐意研究，其结果发现，通过激光照射发生加工部和龟裂，该龟裂从加工部向基板表面蔓延且连接邻接的加工部间，由此能够解决上述课题。

本发明的半导体元件的制造方法，具有如下工序：激光照射工序，在构成晶片的基板的内部会聚脉冲激光，将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使龟裂发生，该龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且使邻接的所述加工部连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割所述晶片。

本发明的半导体元件的制造方法中，能够组合以下的构成。

龟裂将在所述基板的内部邻接的所述加工部连接。

加工部具有头部和足部，所述龟裂将邻接的所述加工部的头部和足部连接。

脉冲激光的会聚位置和所述基板的表面的距离，是所述脉冲激光的加工点直径的二分之一以上、25μm以下。

脉冲激光的会聚位置和所述基板的表面的距离为5μm以上、25μm以下。

加工部间的距离是所述脉冲激光的加工点直径以上。

加工部和所述龟裂在所述基板的厚度10％以上、80％以下的范围内形成。

分割预定线是第一分割预定线，所述龟裂是第一龟裂，

在激光照射工序中，还沿着与所述第一分割预定线大体垂直的第二分割预定线，在所述基板的内部会聚脉冲激光，且将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使第二龟裂发生，该第二龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且使邻接的所述加工部连接，

在晶片分割工序中，还沿着所述第二分割预定线分割所述晶片。

第一龟裂在邻接的所述加工部间迂回蔓延，所述第二龟裂沿着所述第二分割预定线蔓延。

沿着所述第一分割预定线形成的所述加工部的间隔，比沿着所述第二分割预定线形成的所述加工部的间隔小。

所述基板具有第一主面和第二主面，在所述第一主面设有半导体层，在所述激光照射工序中，从所述第二主面侧照射所述脉冲激光。

所述脉冲激光的会聚位置和所述半导体层的距离比30μm大。

加工部是基于多光子吸收的加工部。

基板是蓝宝石基板。

第二主面是与A面不同的面，所述第一分割预定线是与所述基板的a轴交叉的线。