[发明专利]导电性基板有效
| 申请号： | 201080008731.0 | 申请日： | 2010-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN102326460A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 喜直信;北条美贵子 | 申请（专利权）人： | 大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/12 | 分类号： | H05K3/12;H01B5/14;H01B13/00;H05K1/09;H05K3/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电性 | ||
1.一种导电性基板，其中，所述导电性基板为，在基材上将含有金属或金属氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷层，并对该印刷层进行烧成处理来形成金属微粒烧结膜而成的导电性基板，
所述金属微粒烧结膜中的利用X射线衍射测定的微晶直径为25nm以上，且所述金属微粒烧结膜的截面的空隙率为1％以下。
2.如权利要求1所述的导电性基板，其中，所述金属微粒烧结膜内部的、利用X射线光电子分光法测定的碳含量不足5％。
3.如权利要求1或2所述的导电性基板，其中，所述金属或金属氧化物为选自铜、氧化铜及表面已被氧化的铜中的至少1种。
4.如权利要求3所述的导电性基板，其中，X射线衍射图案中，(111)面的峰面积为(200)面的峰面积的2倍以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的导电性基板，其中，在所述金属微粒烧结膜与基材之间不具有异种金属层或金属氧化物层。
6.如权利要求1～5中任一项所述的导电性基板，其中，所述基材为聚酰亚胺树脂。
7.如权利要求1～6中任一项所述的导电性基板，其中，所述烧成在非活性气体环境下或还原性气体环境下进行。
8.如权利要求1～7中任一项所述的导电性基板，其中，所述烧成利用通过施加微波能量产生的表面波等离子体进行。
9.一种导电性基板的制造方法，其中，所述制造方法具有如下工序：
在基材上将含有金属或金属氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷层的工序、以及对该印刷层进行烧成处理而形成金属微粒烧结膜的工序，
金属微粒烧结膜中的利用X射线衍射测定的微晶直径为25nm以上，且金属微粒烧结膜的截面的空隙率为1％以下。
10.如权利要求9所述的导电性基板的制造方法，其中，所述金属微粒烧结膜内部的、利用X射线光电子分光法测定的碳含量不足5％。
11.如权利要求9或10所述的导电性基板的制造方法，其中，所述金属或金属氧化物为选自铜、氧化铜、及表面已被氧化的铜中的至少1种。
12.如权利要求11所述的导电性基板的制造方法，其中，X射线衍射图案中，(111)面的峰面积为(200)面的峰面积的2倍以上。
13.如权利要求9～12中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，在所述金属微粒烧结膜与基材之间不具有异种金属层或金属氧化物层。
14.如权利要求9～13中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，所述基材为聚酰亚胺树脂。
15.如权利要求9～l4中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，所述烧成在非活性气体环境下或还原性气体环境下进行。
16.如权利要求9～15中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，所述烧成利用通过施加微波能量产生的表面波等离子体进行。
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