[发明专利]导电性基板有效
申请号: | 201080008731.0 | 申请日: | 2010-02-19 |
公开(公告)号: | CN102326460A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 喜直信;北条美贵子 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | H05K3/12 | 分类号: | H05K3/12;H01B5/14;H01B13/00;H05K1/09;H05K3/38 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 | ||
技术领域
本发明涉及导电性基板,进一步详细地说,涉及在基材上将含有金属或金属氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷层,并对该印刷层进行烧成处理形成金属微粒烧结膜而成的导电性基板及该导电性基板的制造方法。
背景技术
一直以来,作为柔版印刷布线板等使用的是,在用聚酰亚胺树脂形成的基材上形成有电路图案的布线板。作为形成这样的电路图案的方法,至今使用的是如下的方法:在贴合有金属箔的基材上涂布光致抗蚀剂等,曝光成所期望的电路图案,利用化学蚀刻形成图案。
但是在该方法中,虽然由于可以使用金属箔作为导电性的布线,所以可以制造体积电阻率减小、且高性能的导电性基板,但使用这样的光刻技术的该方法有如下的缺点:不仅工序数较多、繁杂,而且需要使用光致抗蚀材料等。另外,在聚酰亚胺等的基材上利用铜等直接形成电路时,难以使其附着,对此以往采用的是如下的方法:在基材与电路的界面上形成赋予附着性的层,或者使被覆面粗糙来提高附着性。但是,如果形成附着层则存在导电性、绝缘性下降的问题,而在使被覆面粗糙的方法中存在由被覆界面的凹凸带来的导电性下降的问题。
针对这些问题,有人提出了如下的技术:在聚酰亚胺树脂上涂布碱水溶液,使聚酰亚胺树脂的酰亚胺环开裂生成羧基,并使含有金属离子的溶液与其接触而生成金属盐,通过还原反应得到金属薄膜(参照专利文献1的权利要求书)。于是,金属处于被包埋在聚酰亚胺树脂的表层部内的状态,利用锚固锁定效果,可得到附着性高的薄膜(参照专利文献1的段落0049)。
但是,在该方法中,由于铜在聚酰亚胺中移动,所以布线会短路,或者因界面的凹凸增大,存在电可靠性降低的问题。
另外,有人提出了由形成于绝缘基板上的绝缘树脂层、和形成于绝缘树脂层上的金属薄膜层形成的层叠体,其中在绝缘树脂层和金属薄膜层的接触界面存在金属氧化物(参照专利文献2的权利要求书)。专利文献2中提到,金属氧化物可使绝缘树脂层和金属薄膜层的粘接强度增大(参照专利文献2的段落0020)。
然而,专利文献2公开的层叠体中,金属氧化物层尤其是氧化铜的层不耐強酸,可预测到利用电解铜镀敷法使布线厚膜化时,金属氧化物层会发生溶解,附着性下降。
专利文献1:日本特开2005-45236号公报
专利文献2:日本特开2008-200875号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是在这种状况下完成的,其目的在于提供一种在聚酰亚胺等的基材上形成有铜布线等金属微粒烧结膜的、金属微粒烧结膜与基材的附着性高、且具有优异的导电性的导电性基板及该导电性基板的制造方法。
用于解决技术问题的方案
本发明人等为了实现上述目的而反复进行了精心研究,结果发现,如果使用在基板上印刷金属等微粒并使粒子彼此烧结来形成薄膜的技术,就能够在基材上直接形成金属薄膜。另一方面,发现即便使用该技术,也存在基材与金属薄膜的界面的附着性下降的问题,其原因为在烧结的同时由粒子之间的凝聚会引起颗粒生长,在与基板界面之间产生空隙。关于产生该空隙的问题,经进一步研究后发现,通过在由粒子之间的凝聚造成的颗粒生长开始之前用短时间进行烧结,使由X射线衍射结果得到的微晶直径生长为25nm以上,由此形成在膜中、基材界面不产生空隙的结构,使基材与金属薄膜的界面平滑,且得到高附着性。另外发现,在金属薄膜中,未残存有机物等的情况下可以得到更高的附着性。本发明是基于上述见解而完成的。
即,本发明提供一种导电性基板,其为在基材上将含有金属或金属氧化物微粒的涂布液印刷而形成印刷层,并对该印刷层进行烧成(firing)处理形成金属微粒烧结膜而成的导电性基板,上述金属微粒烧结膜中的利用X射线衍射测定的微晶直径为25nm以上,且上述金属微粒烧结膜的截面的空隙率为1%以下。
发明的效果
根据本发明,可以提供一种在聚酰亚胺等基材上形成有铜布线等图案状的金属微粒烧结膜的、金属微粒烧结膜与基材的附着性高且具有优异的导电性的导电性基板。
附图说明
图1为实施例1所述的本发明的导电性基板的截面的扫描型电子显微镜照片。
图2为比较例2所述的导电性基板的截面的扫描型电子显微镜照片。
图3为实施例1所述的本发明的导电性基板的X射线结构衍射的结果。
图4为进行实施例1所述的本发明的导电性基板的离子蚀刻深度方向元素分析的结果。
图5为比较例2中制造的导电性基板的X射线结构衍射的结果。
具体实施方式
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