[发明专利]半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置

权利要求书

1.一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板以及设置在所述半导体晶片与所述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括：

隔片形成用膜准备工序，准备包含片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；

粘贴工序，将所述隔片形成用膜的所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的功能面上；

曝光工序，在所述隔片形成用膜的所述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过所述支承基材的方式，有选择性地对所述隔片形成层中应成为所述隔片的部位进行曝光；

支承基材去除工序，在所述曝光后去除所述支承基材；

显影工序，对曝光后的所述隔片形成层进行显影，在所述半导体晶片上形成所述隔片；以及

接合工序，将所述透明基板接合于所述隔片的与所述半导体晶片侧相反侧的面上。

2.一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板以及设置在所述半导体晶片与所述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括：

隔片形成用膜准备工序，准备包含片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；

粘贴工序，将所述隔片形成用膜的所述隔片形成层粘贴于所述透明基板上；

曝光工序，在所述隔片形成用膜的所述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过所述支承基材的方式，有选择性地对所述隔片形成层中应成为所述隔片的部位进行曝光；

支承基材去除工序，在所述曝光后去除所述支承基材；

显影工序，对曝光后的所述隔片形成层进行显影，在所述透明基板上形成所述隔片；以及

接合工序，将所述半导体晶片的功能面接合于所述隔片的与所述透明基板侧相反侧的面上。

3.如权利要求1所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在所述曝光工序中，以与所述支承基材相对置的方式设置所述掩模时，通过对准设置在所述半导体晶片上的校准标记与设置在所述掩模上的校准标记，从而进行所述掩模的定位。

4.如权利要求2所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在所述曝光工序中，以与所述支承基材相对置的方式设置所述掩模时，通过对准设置在所述透明基板上的校准标记和设置在所述掩模上的校准标记，从而进行所述掩模的定位。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述支承基材的可见光透过率为30～100％。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述隔片形成层的可见光透过率为30～100％。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述曝光工序中曝光用光对所述支承基材的透过率为50～100％。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述支承基材的平均厚度为15～50μm。

9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述曝光工序中所述掩模与所述支承基材的距离为0～1000μm。

10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述隔片形成层由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成。

11.如权利要求10所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述碱溶性树脂为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。

12.如权利要求10或者11所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述热固性树脂为环氧树脂。

13.一种半导体晶片接合体，其特征在于，采用权利要求1至12中任一项所述的方法来制造。

14.一种半导体装置，其特征在于，通过将权利要求13所述的半导体晶片接合体在对应于所述隔片的位置进行切割、单片化来获得。