[发明专利]半导体晶片接合体、半导体晶片接合体的制造方法和半导体装置

权利要求书

1.一种半导体晶片接合体，其特征在于，包含：

半导体晶片；

设置在前述半导体晶片的功能面侧的透明基板；

设置在前述半导体晶片与前述透明基板之间的隔片；以及

沿着前述半导体晶片的外周连续设置的、用于接合前述半导体晶片与前述透明基板的接合部。

2.如权利要求1所述的半导体晶片接合体，其中，前述接合部的最小宽度为50μm以上。

3.如权利要求1或者2所述的半导体晶片接合体，其中，前述接合部在蚀刻液浸渍前后的剪切强度比为40％以上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体晶片接合体，其中，前述隔片和前述接合部被设置成一体。

5.一种半导体晶片接合体的制造方法，是制造权利要求1至4中任一项所述的半导体晶片接合体的方法，其特征在于，包括：

感光性粘接层形成工序，在前述半导体晶片的功能面上，形成具有与前述半导体晶片相对应的形状的、具有粘接性的感光性粘接层；

曝光工序，使用掩模有选择性地对前述感光性粘接层中应该成为前述隔片和前述接合部的部位进行曝光；

显影工序，对曝光后的前述感光性粘接层进行显影，在前述半导体晶片上形成前述隔片和前述接合部；以及

接合工序，将前述透明基板接合于前述隔片和前述接合部的与前述半导体晶片侧相反侧的面上。

6.一种半导体晶片接合体的制造方法，是制造权利要求1至4中任一项所述的半导体晶片接合体的方法，其特征在于，包括：

感光性粘接层形成工序，在前述透明基板上形成具有与前述透明基板相对应的形状的、具有粘接性的感光性粘接层；

曝光工序，使用掩模有选择性地对前述感光性粘接层中应该成为前述隔片和前述接合部的部位进行曝光；

显影工序，对曝光后的前述感光性粘接层显影，在前述透明基板上形成前述隔片和前述接合部；以及

接合工序，将前述半导体晶片接合于前述隔片和前述接合部的与前述透明基板侧相反侧的面上。

7.如权利要求5或6所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述感光性粘接层由包含碱溶性树脂、热固性树脂以及光聚合引发剂的材料来构成。

8.如权利要求7所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述碱溶性树脂为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。

9.如权利要求7或8所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述热固性树脂为环氧树脂。

10.如权利要求7至9中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，作为前述材料还含有光聚合性树脂。

11.一种半导体装置，其特征在于，将权利要求1至4中任一项所述的半导体晶片接合体在对应于前述隔片的位置进行切割、单片化来获得。