[发明专利]半导体晶片接合体、半导体晶片接合体的制造方法和半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片接合体、半导体晶片接合体的制造方法以及半导体装置。

背景技术

目前已知有一种半导体装置，是以CMOS传感器、CCD传感器等为代表的半导体装置，其包含：具有受光部的半导体基板；设置在半导体基板上且以包围受光部的方式形成的隔片；以及通过该隔片接合于半导体基板上的透明基板。

上述半导体装置，通常采用包括下列工序的制造方法来制造：在设置有多个受光部的半导体晶片上，粘贴电子射线固化性的粘接膜的工序；通过掩模对该粘接膜有选择性地照射电子射线，对粘接膜进行曝光的工序；对已曝光的粘接膜进行显影以形成隔片的工序；将透明基板接合于所形成的隔片上的工序；以及切割(单片化)所得到的半导体晶片与透明基板的接合体(半导体晶片接合体)的工序(例如，参照专利文献1)。

并且，通常在切割半导体晶片接合体之前，在半导体晶片的背面施行布线的形成或焊锡凸块的形成等加工(背面加工工序)。

但是，由于隔片的宽度小，所以在按以往的方式制作的半导体晶片接合体中，因在这种背面加工时所用的清洗液或蚀刻液等，导致半导体晶片接合体的边缘部附近的隔片发生剥离，存在清洗液或蚀刻液等浸入半导体晶片接合体的内部的问题。这种液体浸入的部分会成为不合格品，从而减少了由一个半导体晶片接合体所得到的半导体装置的数量，存在半导体装置的生产效率降低的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-312666号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种在半导体晶片的背面加工时可防止清洗液或蚀刻液等向内部浸入、且半导体装置的生产效率优良的半导体晶片接合体，提供一种可容易制造这种半导体晶片接合体的制造方法。另外，提供一种可靠性优良的半导体装置。解决课题的方法

上述目的可通过下列(1)～(10)所述的本发明技术方案来实现。

(1)一种半导体晶片接合体，其特征在于，包含：

半导体晶片；

设置在前述半导体晶片的功能面侧的透明基板；

设置在前述半导体晶片与前述透明基板之间的隔片；以及

沿着前述半导体晶片的外周连续设置的、用于接合前述半导体晶片与前述透明基板的接合部。

(2)如上述(1)所述的半导体晶片接合体，其中，前述接合部的最小宽度为50μm以上。

(3)如上述(1)或者(2)所述的半导体晶片接合体，其中，前述接合部在蚀刻液浸渍前后的剪切强度比为40％以上。

(4)如上述(1)至(3)中任一项所述的半导体晶片接合体，其中，前述隔片和前述接合部被设置成一体。

(5)一种半导体晶片接合体的制造方法，其为制造上述(1)至(4)中任一项所述的半导体晶片接合体的方法，其特征在于，包括：

感光性粘接层形成工序，在前述半导体晶片的功能面上，形成具有与前述半导体晶片相对应的形状的、具有粘接性的感光性粘接层；

曝光工序，使用掩模有选择性地对前述感光性粘接层中应该成为前述隔片和前述接合部的部位进行曝光；

显影工序，对曝光后的前述感光性粘接层进行显影，在前述半导体晶片上形成前述隔片和前述接合部；以及

接合工序，将前述透明基板接合于前述隔片和前述接合部的与前述半导体晶片侧相反侧的面上。

(6)一种半导体晶片接合体的制造方法，其为制造上述(1)至(4)中任一项所述的半导体晶片接合体的方法，其特征在于，包括：

感光性粘接层形成工序，在前述透明基板上形成具有与前述透明基板相对应的形状的、具有粘接性的感光性粘接层；

曝光工序，使用掩模有选择性地对前述感光性粘接层中应该成为前述隔片和前述接合部的部位进行曝光；

显影工序，对曝光后的前述感光性粘接层显影，在前述透明基板上形成前述隔片和前述接合部；以及

接合工序，将前述半导体晶片接合于前述隔片和前述接合部的与前述透明基板侧相反侧的面上。

(7)如上述(5)或(6)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述感光性粘接层由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成。

(8)如上述(7)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述碱溶性树脂为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。

(9)如上述(7)或(8)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述热固性树脂为环氧树脂。