[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201080011089.1 | 申请日： | 2010-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN102349158A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 大原宏树;佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C01G15/00;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/363;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括步骤：
在衬底上形成作为栅电极的第一导电层；
形成第一绝缘层以覆盖第一导电层；
在第一绝缘层上形成半导体层，以使得部分半导体层与第一导电层重叠；
在半导体层上形成第二导电层；
形成第二绝缘层以覆盖半导体层和第二导电层；
形成连接到第二导电层的第三导电层；
在形成半导体层的步骤之后，并且在形成第二绝缘层的步骤之前，执行第一热处理；和
在形成第二绝缘层的步骤之后执行第二热处理。
2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，
其中形成包含铟、镓和锌的氧化物半导体层作为所述半导体层。
3.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，
其中所述半导体层包括氧化物半导体材料，
其中所述氧化物半导体材料以InMO3(ZnO)m(m＞0)表示，并且
其中M表示从镓(Ga)、铁(Fe)、镍(Ni)、锰(Mn)和钴(Co)等中选择的一种或多种金属元素。
4.如权利要求3所述的半导体器件制造方法，
其中InMO3(ZnO)m中的M表示镓(Ga)。
5.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，
其中所述半导体层中的氢浓度高于第二绝缘层中的氢浓度，并且
其中所述半导体层中的氮浓度高于第二绝缘层中的氮浓度。
6.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，
其中第二绝缘层中的氢浓度是1×1021原子/cm3或更低，并且
其中第二绝缘层中的氮浓度是1×1019原子/cm3或更低。
7.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，
其中所述半导体层和第二导电层至少在形成第二绝缘层的半导体层的上表面的部分处连接。
8.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，
其中所述半导体层和第二导电层至少在形成第一绝缘层的半导体层的底表面的部分处连接。
9.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，
其中所述半导体层和第二导电层彼此电连接。
10.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，
其中在形成第二导电层的步骤之后，并且在形成第二绝缘层的步骤之前，执行所述第一热处理。
11.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，
其中在形成第三导电层的步骤之后，执行所述第二热处理。
12.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，
其中所述第一热处理的热处理温度和所述第二热处理的热处理温度为400℃或更低。
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