[发明专利]制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201080011089.1 申请日: 2010-02-19
公开(公告)号: CN102349158A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 大原宏树;佐佐木俊成 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;C01G15/00;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/363;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/417
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件的制造方法,包括步骤:

在衬底上形成作为栅电极的第一导电层;

形成第一绝缘层以覆盖第一导电层;

在第一绝缘层上形成半导体层,以使得部分半导体层与第一导电层重叠;

在半导体层上形成第二导电层;

形成第二绝缘层以覆盖半导体层和第二导电层;

形成连接到第二导电层的第三导电层;

在形成半导体层的步骤之后,并且在形成第二绝缘层的步骤之前,执行第一热处理;和

在形成第二绝缘层的步骤之后执行第二热处理。

2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法,

其中形成包含铟、镓和锌的氧化物半导体层作为所述半导体层。

3.如权利要求1所述的半导体器件制造方法,

其中所述半导体层包括氧化物半导体材料,

其中所述氧化物半导体材料以InMO3(ZnO)m(m>0)表示,并且

其中M表示从镓(Ga)、铁(Fe)、镍(Ni)、锰(Mn)和钴(Co)等中选择的一种或多种金属元素。

4.如权利要求3所述的半导体器件制造方法,

其中InMO3(ZnO)m中的M表示镓(Ga)。

5.如权利要求1所述的半导体器件制造方法,

其中所述半导体层中的氢浓度高于第二绝缘层中的氢浓度,并且

其中所述半导体层中的氮浓度高于第二绝缘层中的氮浓度。

6.如权利要求1所述的半导体器件制造方法,

其中第二绝缘层中的氢浓度是1×1021原子/cm3或更低,并且

其中第二绝缘层中的氮浓度是1×1019原子/cm3或更低。

7.如权利要求1所述的半导体器件制造方法,

其中所述半导体层和第二导电层至少在形成第二绝缘层的半导体层的上表面的部分处连接。

8.如权利要求1所述的半导体器件制造方法,

其中所述半导体层和第二导电层至少在形成第一绝缘层的半导体层的底表面的部分处连接。

9.如权利要求1所述的半导体器件制造方法,

其中所述半导体层和第二导电层彼此电连接。

10.如权利要求1所述的半导体器件制造方法,

其中在形成第二导电层的步骤之后,并且在形成第二绝缘层的步骤之前,执行所述第一热处理。

11.如权利要求1所述的半导体器件制造方法,

其中在形成第三导电层的步骤之后,执行所述第二热处理。

12.如权利要求1所述的半导体器件制造方法,

其中所述第一热处理的热处理温度和所述第二热处理的热处理温度为400℃或更低。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080011089.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top