[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明的技术领域涉及制造半导体器件的方法。

背景技术

存在多种金属氧化物，并且这些材料氧化物被用于各种应用。氧化铟是一种公知材料，并且被用作液晶显示器等所需的透明电极材料。

某些金属氧化物具有半导体特性。这些具有半导体特性的金属氧化物的例子是氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等。已知使用具有半导体特性的这些金属氧化物构成沟道形成区的薄膜晶体管(例如，见专利文献1到4，非专利文献1)。

作为金属氧化物，已知多组分氧化物和单组分氧化物。例如，已知同系化合物物InGaO₃(ZnO)m(m是自然数)是包含In、Ga和Zn的多组分氧化物(例如，见非专利文献2到4等)。

另外，确认包含这种基于In-Ga-Zn的氧化物的氧化物半导体适用于薄膜晶体管的沟道层(例如，见专利文献5，非专利文献5和6等)。

[参考文献]

[专利文献1]日本公开专利申请No.S60-198861

[专利文献2]日本公开专利申请No.H8-264794

[专利文献3]PCT国际申请No.H11-505377的日文译文

[专利文献4]日本公开专利申请No.2000-150900

[专利文献5]日本公开专利申请No.2004-103957

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