[发明专利]具有改进的编程操作的存储器装置

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在装置的编程操作的第一时间间隔期间，减少所述装置的存储器单元的源极及漏极中的电子量；及

在所述编程操作的第二时间间隔期间，编程所述存储器单元中的至少一者。

2.根据权利要求1所述的方法，其中减少所述电子量包含在所述存储器单元的栅极与所述装置的衬底的定位有所述源极及漏极的一部分之间产生电压差，以使得在所述第一时间间隔期间，所述衬底的所述部分处的电压电平大于所述栅极中的每一者处的电压电平。

3.根据权利要求2所述的方法，其中产生所述电压差包含在所述第一时间间隔期间将所述栅极处的所述电压电平保持为零伏。

4.根据权利要求1所述的方法，其中减少所述源极及漏极中的所述电子量包含使所述源极及漏极浮动。

5.一种方法，其包括：

在存储器装置的编程操作的第一时间间隔期间，将衬底的耦合到所述存储器装置的存储器单元的源极及漏极的一部分处的电压从第一电压电平升高到第二电压电平；及

在所述编程操作的第二时间间隔期间，降低所述衬底的所述部分处的所述第二电压电平。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二电压电平等于所述存储器装置的供应电压。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二电压电平大于所述存储器装置的供应电压。

8.根据权利要求5所述的方法，其中在所述第一时间间隔期间，所述第二电压电平大于所述源极及漏极处的电压电平。

9.一种方法，其包括：

在存储器装置的编程操作的第一时间间隔期间，对所述存储器装置的衬底的一部分进行充电；

在所述编程操作的第二时间间隔期间，对所述衬底的所述部分进行放电；

在所述第一时间间隔期间，将第一栅极电压施加到所述存储器装置的存储器单元串的多个栅极；

在所述第二时间间隔期间，将第二栅极电压施加到所述多个栅极中的第一及第二栅极；及

在所述第二时间间隔期间，将第三栅极电压施加到所述多个栅极中的第三栅极。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一栅极电压具有小于当对所述衬底的所述部分进行充电时所述衬底的所述部分的电压电平的电压电平。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一栅极电压具有等于零伏的电压电平。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一栅极电压具有负值。

13.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

使耦合到所述存储器单元串的位线浮动。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：

在所述第二时间间隔期间，降低所述位线处的电压。

15.根据权利要求9所述的方法，其中不选择所述串的所述存储器单元中的任何一者在所述编程操作期间编程。

16.根据权利要求9所述的方法，其中选择所述串的所述存储器单元中的一者在所述编程操作期间编程。

17.一种方法，其包括：

在存储器装置的编程操作的第一时间间隔期间，对耦合到所述存储器装置的存储器单元的源极及漏极的衬底阱进行充电；

在对所述衬底阱进行充电的同时，允许所述源极及所述漏极处的电压电平上升；及

在所述编程操作的第二时间间隔期间，对所述衬底阱进行放电。

18.根据权利要求17所述的方法，其中允许所述源极及漏极处的所述电压电平上升到等于衬底阱的电压电平减去二极管电压的电平。

19.根据权利要求17所述的方法，其中将所述存储器单元的第一群组布置成第一存储器单元串且将所述存储器单元的第二群组布置成第二存储器单元串，且其中在对所述衬底阱进行放电时，允许所述第一存储器单元串的所述源极及所述漏极处的所述电压电平在所述第二时间间隔的第一部分期间降低，且在对所述衬底阱进行放电时，允许所述第一存储器单元串的所述源极及所述漏极处的所述电压电平在所述第二时间间隔的第二部分期间增加。