[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置有效

专利信息
申请号: 201080011288.2 申请日: 2010-03-08
公开(公告)号: CN102349103A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 石桥信一;山根明;福岛正人 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;G11B5/65
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 记录 介质 制造 方法 再生 装置
【权利要求书】:

1.一种磁记录介质的制造方法,是具有磁性分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法,其特征在于,依次具有:

在非磁性基板上形成磁性层的工序;

在磁性层上形成用于形成磁记录图案的掩模层的工序;和

对磁性层的未被掩模层覆盖的部位照射离子束,除去该部位的磁性层的上层部,并且对下层部的磁特性进行改性的工序,

离子束使用质量不同的两种以上的正离子,

形成离子束的离子枪具有向基板侧推出来自离子源的正离子的正电极和使正离子向基板侧加速的负电极。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,质量不同的两种以上的所述正离子是含有氮和氢或者氮和氖的离子。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,

所述离子枪具有使来自所述离子源的所述正离子的能量分布稳定的接地电极,

所述离子枪的电极,从所述离子源向所述基板侧按正电极、负电极、接地电极的顺序被设置。

4.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,

对所述正电极的施加电压在+500V以上、+1500V以下的范围内,

对所述负电极的施加电压在-2000V以上、-1000V以下的范围内。

5.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,所述离子枪的电极是网状电极。

6.一种磁记录再生装置,其特征在于,具有:

采用权利要求1或2所述的制造方法得到的磁记录介质;和

对该磁记录介质记录再生信息的磁头。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080011288.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top