[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置有效
申请号: | 201080011288.2 | 申请日: | 2010-03-08 |
公开(公告)号: | CN102349103A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 石桥信一;山根明;福岛正人 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84;G11B5/65 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;杨光军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 制造 方法 再生 装置 | ||
1.一种磁记录介质的制造方法,是具有磁性分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法,其特征在于,依次具有:
在非磁性基板上形成磁性层的工序;
在磁性层上形成用于形成磁记录图案的掩模层的工序;和
对磁性层的未被掩模层覆盖的部位照射离子束,除去该部位的磁性层的上层部,并且对下层部的磁特性进行改性的工序,
离子束使用质量不同的两种以上的正离子,
形成离子束的离子枪具有向基板侧推出来自离子源的正离子的正电极和使正离子向基板侧加速的负电极。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,质量不同的两种以上的所述正离子是含有氮和氢或者氮和氖的离子。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,
所述离子枪具有使来自所述离子源的所述正离子的能量分布稳定的接地电极,
所述离子枪的电极,从所述离子源向所述基板侧按正电极、负电极、接地电极的顺序被设置。
4.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,
对所述正电极的施加电压在+500V以上、+1500V以下的范围内,
对所述负电极的施加电压在-2000V以上、-1000V以下的范围内。
5.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法,其特征在于,所述离子枪的电极是网状电极。
6.一种磁记录再生装置,其特征在于,具有:
采用权利要求1或2所述的制造方法得到的磁记录介质;和
对该磁记录介质记录再生信息的磁头。
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