[发明专利]用于镍-磷存储磁盘的抛光组合物有效
申请号: | 201080012745.X | 申请日: | 2010-01-28 |
公开(公告)号: | CN102361950A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | S.帕拉尼萨米奇纳萨姆比;H.斯里瓦达恩 | 申请(专利权)人: | 嘉柏微电子材料股份公司 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 存储 磁盘 抛光 组合 | ||
1.化学-机械抛光组合物,其包含:
(a)α-氧化铝,
(b)热解氧化铝,
(c)二氧化硅,
(d)氧化镍-磷的氧化剂,
(e)0.1重量%至5重量%的草酸,
(f)任选的0.1重量%至2重量%的酒石酸,
(g)任选的非离子型表面活性剂,
(h)任选的杀生物剂,和
(i)水,
其中所述抛光组合物具有2至4的pH。
2.权利要求1的抛光组合物,其中所述抛光组合物包含0.5重量%至2 重量%的α-氧化铝、0.1重量%至1重量%的热解氧化铝和0.5重量%至2重 量%的二氧化硅。
3.权利要求1的抛光组合物,其中所述α-氧化铝具有300nm至800nm 的平均粒度。
4.权利要求3的抛光组合物,其中所述α-氧化铝具有400nm至600nm 的平均粒度。
5.权利要求1的抛光组合物,其中所述热解氧化铝具有75nm至150nm 的平均粒度。
6.权利要求1的抛光组合物,其中所述二氧化硅具有20nm至120nm的 平均粒度。
7.权利要求1的抛光组合物,其中所述氧化剂为过氧化氢。
8.权利要求1的抛光组合物,其中所述抛光组合物包含0.1重量%至2 重量%的酒石酸。
9.权利要求8的抛光组合物,其中所述抛光组合物包含0.1重量%至0.75 重量%的酒石酸。
10.权利要求9的抛光组合物,其中所述抛光组合物包含1重量%至3 重量%的草酸。
11.权利要求1的抛光组合物,其中所述抛光组合物进一步包含10ppm 至500ppm的非离子型表面活性剂。
12.权利要求1的抛光组合物,其中所述抛光组合物的pH为2至3。
13.对基材进行化学-机械抛光的方法,其包括:
(i)使基材与抛光垫和化学-机械抛光组合物接触,该化学-机械抛光组合 物包含:
(a)α-氧化铝,
(b)热解氧化铝,
(c)二氧化硅,
(d)氧化镍-磷的氧化剂,
(e)0.1重量%至5重量%的草酸,
(f)任选的0.1重量%至2重量%的酒石酸,
(g)任选的非离子型表面活性剂,
(h)任选的杀生物剂,和
(i)水,
其中所述抛光组合物具有2至4的pH,
(ii)使所述抛光垫相对于所述基材移动,其间有所述化学-机械抛光组合 物,和
(iii)磨除所述基材的至少一部分以抛光所述基材。
14.权利要求13的方法,其中所述抛光组合物包含0.5重量%至2重量 %的α-氧化铝、0.1重量%至1重量%的热解氧化铝和0.5重量%至2重量% 的二氧化硅。
15.权利要求13的方法,其中所述α-氧化铝具有300nm至800nm的平 均粒度。
16.权利要求15的方法,其中所述α-氧化铝具有400nm至600nm的平 均粒度。
17.权利要求13的方法,其中所述热解氧化铝具有75nm至150nm的 平均粒度。
18.权利要求13的方法,其中所述二氧化硅具有20nm至120nm的平 均粒度。
19.权利要求13的方法,其中所述氧化剂为过氧化氢。
20.权利要求13的方法,其中所述抛光组合物包含0.1重量%至2重量 %的酒石酸。
21.权利要求20的方法,其中所述抛光组合物包含0.1重量%至0.75重 量%的酒石酸。
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