[发明专利]半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法

权利要求书

1.一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，具备：

第1外延层形成工序，在第1导电型的半导体衬底导入所述第1导电型的掺杂物气体而形成第1外延层；

沟槽形成工序，在所述第1外延层形成沟槽；以及

外延层形成工序，在所述第1外延层和所述沟槽内，使用包含不同的生长速度的多个生长条件，以掩埋所述沟槽内的方式形成与所述第1导电型不同的第2导电型的外延层，使在所述多个生长条件的每一个中掺入到所述外延层中的所述第2导电型的掺杂物浓度为固定。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造方法，其特征在于，

所述多个生长条件包含所述外延层的生长温度，

所述生长速度通过使所述外延层的生长温度变动而进行变化。

3.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造方法，其特征在于，

所述多个生长条件包含导入到所述外延层和所述沟槽内的所述第2导电型的掺杂物气体的流量，

所述生长速度通过使原料气体的流量变动而进行变化。

4.一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，具备：

第1外延层形成工序，在第1导电型的半导体衬底导入所述第1导电型的掺杂物气体而形成第1外延层；

沟槽形成工序，在所述第1外延层形成沟槽；

第2外延层形成工序，在所述第1外延层和所述沟槽内，在规定的第1温度的气氛中，以规定的第1掺杂物气体流量导入与所述第1导电型不同的第2导电型的掺杂物气体，形成第2外延层；

第3外延层形成工序，在所述第2外延层，在与所述第1温度相比温度低的第2温度的气氛中，以比所述第1掺杂物气体流量多的第2掺杂物气体流量导入所述第2导电型的掺杂物气体并以掩埋所述沟槽内的方式形成第3外延层；以及

第4外延层形成工序，在所述第2外延层和所述第3外延层，在与所述第2温度相比温度高的第3温度的气氛中，以比所述第2掺杂物气体流量少的第3掺杂物气体流量导入所述第2导电型的掺杂物气体，形成第4外延层。

5.一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，具备：

第1外延层形成工序，在第1导电型的半导体衬底导入所述第1导电型的掺杂物气体而形成第1外延层；

沟槽形成工序，在所述第1外延层形成沟槽；

第2外延层形成工序，在所述第1外延层和所述沟槽内，在规定的第1温度的气氛中，以规定的第1掺杂物气体流量导入与所述第1导电型不同的第2导电型的掺杂物气体，形成第2外延层；以及

第3外延层形成工序，在所述第2外延层，在与所述第1温度相比温度低的第2温度的气氛中，以比所述第1掺杂物气体流量多的第2掺杂物气体流量导入所述第2导电型的掺杂物气体并以掩埋所述沟槽内的方式形成第3外延层。

6.一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，具备：

第1外延层形成工序，在第1导电型的半导体衬底导入所述第1导电型的掺杂物气体而形成第1外延层；

沟槽形成工序，在所述第1外延层形成沟槽；

第2外延层形成工序，在所述第1外延层和所述沟槽内，在规定的第1温度的气氛中，以规定的第1掺杂物气体流量导入与所述第1导电型不同的第2导电型的掺杂物气体，形成第2外延层；以及

第3外延层形成工序，在所述第2外延层，在与所述第1温度相比温度高的第2温度的气氛中，以比所述第1掺杂物气体流量少的第2掺杂物气体流量导入所述第2导电型的掺杂物气体并以掩埋所述沟槽内的方式形成第3外延层。

7.根据权利要求4所述的半导体衬底的制造方法，其特征在于，所述第2外延层、所述第3外延层以及所述第4外延层的掺杂物量通过使所述第2导电型的掺杂物气体的流量变动而进行变化。

8.根据权利要求4所述的半导体衬底的制造方法，其特征在于，所述第2外延层、所述第3外延层以及所述第4外延层的掺杂物量通过使用所述第2导电型的掺杂物气体的浓度不同的多个气罐而进行变化。

9.根据权利要求4所述的半导体衬底的制造方法，其特征在于，所述第2外延层、所述第3外延层以及所述第4外延层中的1个或多个通过在所述气氛中同时供给原料气体和卤化物气体而形成。