[发明专利]半导体激光模块有效
申请号: | 201080013441.5 | 申请日: | 2010-03-17 |
公开(公告)号: | CN102362400A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 木本龙也;清田和明 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | H01S5/02 | 分类号: | H01S5/02;G02B6/122;H01S5/022;H01S5/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 激光 模块 | ||
1.一种半导体激光模块,其包含:集成了至少一个半导体激光器和 弯曲波导的半导体器件、束分离器、多个检测器,从所述半导体激光器射 出的激光经由所述弯曲波导传播,经由所述弯曲波导射出的所述激光入射 向所述束分离器,入射到所述束分离器的激光的一部分由所述束分离器分 路,由配置于该光束截面内的不同的位置的所述多个检测器检测所述分路 后的所述激光的一部分,其特征在于,
在光路上设有用于使所述半导体激光器的输出和所述多个检测器的 检测值的相关关系接近线性的波形整形装置。
2.如权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,
所述波形整形装置将光输出分布图案整形为关于所述激光的光轴大 致对称。
3.如权利要求1或2所述的半导体激光模块,其特征在于,
所述波形整形装置是弯曲半径为1000μm以上的所述弯曲波导。
4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,
所述波形整形装置的所述弯曲波导的弯曲半径R、所述弯曲波导的波 导部和包层部的等效折射率差Δn={(波导部的折射率)-(包层部的折 射率)}/(波导部的折射率)满足
R≥A×Δn^(-B)(A=0.62,B=1.59)。
5.如权利要求1~4中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,
所述波形整形装置按照使由所述弯曲波导引起的光输出的损失为2% 以下的方式对所述光输出分布图案进行整形。
6.如权利要求1~5中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,
所述半导体器件具备:
选择型可变波长激光器,其具有多个半导体激光器,从该多个半导体 激光器选择一个半导体激光器射出可变波长激光。
光合流器,其将从所述选择型可变波长激光器输出的激光向所述弯曲 波导侧输出,
所述波形整形装置具有将从所述光合流器泄漏的光遮断的泄漏光阻 止部。
7.如权利要求2~6中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,
所述半导体器件中还集成有将从所述半导体激光器射出的激光放大 的半导体光放大器,
所述波形整形装置通过在向所述半导体光放大器的光输入前级设置 所述弯曲波导而对所述光输出分布图案进行整形。
8.如权利要求1~7中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,
所述多个检测器是:
检测所述半导体器件的光输出的输出检测器,
检测从所述半导体器件输出的激光的规定波长区域的光输出的波长 检测器。
9.如权利要求1~8中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,
所述弯曲波导的弯曲部分,被设于距包含所述弯曲波导的波导的激光 输入端5~30%的位置。
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