[发明专利]树脂隔体用膜、光接受装置及其制造方法、和MEMS设备及其制造方法无效
申请号: | 201080014348.6 | 申请日: | 2010-03-25 |
公开(公告)号: | CN102369101A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 出岛裕久;川田政和;米山正洋;高桥丰诚;白石史广;佐藤敏宽 | 申请(专利权)人: | 住友电木有限公司 |
主分类号: | B32B7/12 | 分类号: | B32B7/12;B81B7/02;B81C3/00;C09J4/02;C09J7/02;C09J133/02;C09J163/10;C09J179/08;C09J201/00;H01L23/10;H01L31/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李新红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 树脂 体用 接受 装置 及其 制造 方法 mems 设备 | ||
1.一种树脂隔体用膜,所述膜包含:
由树脂组合物制成的粘合剂层;和
覆盖所述粘合剂层的表面的覆盖膜,
其中所述粘合剂层和所述覆盖膜之间的粘合力C1与在所述粘合剂层和硅氧烷树脂之间的粘合力D满足条件C1>D。
2.根据权利要求1所述的树脂隔体用膜,其中所述粘合剂层和硅晶片之间的粘合力E1满足条件E1>0.01N/m。
3.根据权利要求1或2所述的树脂隔体用膜,其中在700mJ/cm2的基于i-线的累积曝光量条件下曝光后粘合剂层和覆盖膜之间的粘合力C2,和在700mJ/cm2的基于i-线的累积曝光量条件下曝光后在粘合剂层和硅晶片之间的粘合力E2满足条件C2<E2。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的树脂隔体用膜,其中在700mJ/cm2的基于i-线的累积曝光量条件下曝光后,粘合剂层在80℃的测量温度的弹性模量是100Pa或更高。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的树脂隔体用膜,其中在700mJ/cm2的基于i-线的累积曝光量条件下曝光并且在180℃和2小时的条件下热固化之后,根据JIS Z0208 B的方法测量的粘合剂层的透湿率是12g/m2/24h或更高。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的树脂隔体用膜,其中所述树脂组合物包含碱溶性树脂和光聚合性树脂。
7.根据权利要求6所述的树脂隔体用膜,其中所述树脂组合物还包含热固性树脂。
8.根据权利要求6或7所述的树脂隔体用膜,其中所述碱溶性树脂包括(甲基)丙烯酸改性的酚醛清漆树脂。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的树脂隔体用膜,其中所述碱溶性树脂包括含羧基的聚合物,所述含羧基的聚合物选自含羧基的环氧丙烯酸酯、含羧基的丙烯酸类聚合物和聚酰胺酸。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的树脂隔体用膜,其中所述光聚合性树脂包含丙烯酸类单体。
11.根据权利要求10所述的树脂隔体用膜,其中所述丙烯酸类单体是三官能的(甲基)丙烯酸酯化合物和四官能的(甲基)丙烯酸酯化合物中的一种。
12.根据权利要求6至11中任一项所述的树脂隔体用膜,其中所述光聚合性树脂包括环氧化合物的(甲基)丙烯酸加合物。
13.一种光接受装置,所述光接受装置包含:
在其中形成了光电转换部的底部基板;
面向所述底部基板设置的透明基板;和
设置在所述底部基板和所述透明基板之间以包围所述光电转换部的树脂隔体,
其中所述树脂隔体由根据权利要求1至12中任一项所述的树脂隔体用膜形成。
14.一种MEMS设备,所述MEMS设备包含:
在其中形成了包括MEMS元件的功能部的底部基板;
面向所述底部基板设置的覆盖基板;和
设置在所述底部基板和所述覆盖基板之间以包围所述功能部的树脂隔体,
其中所述树脂隔体由根据权利要求1至12中任一项所述的树脂隔体用膜形成。
15.一种用于制造光接受装置的方法,所述方法包括:
膜切割步骤,切割根据权利要求1至12中任一项所述的树脂隔体用膜;
层压步骤,将在所述膜切割步骤中已切割好的树脂隔体用膜层压在其中形成了多个光电转换部的晶片的表面上;
曝光/显影步骤,将层压在所述晶片上的树脂隔体用膜曝光和显影,从而形成包围所述多个光电转换部的树脂隔体;
结合步骤,将所述晶片和透明基板经由在所述曝光/显影步骤中形成的树脂隔体结合;和
分割步骤,将经由树脂隔体结合的晶片和透明基板分割成光电转换部的单元。
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