[发明专利]浪涌吸收元件

权利要求书

1.浪涌吸收元件，其具有第1电极、与所述第1电极相对设置的第2 电极、以及陶瓷层，所述陶瓷层的至少一部分与所述第1电极和所述第2电 极连接，所述陶瓷层具有由表现出电压非线性特性的多个晶粒构成的多晶组 织，所述陶瓷层在内部具有空隙，在所述空隙中的所述多个晶粒的出露表面 出现表面放电，由此在所述第1电极和所述第2电极之间通电。

2.权利要求1所述的浪涌吸收元件，其满足所述陶瓷层的空隙率为 25体积％以上、92体积％以下，或者所述陶瓷层具有在所述第1电极和所述第 2电极之间连通的贯通空隙这两个条件中的至少之一，所述多个晶粒以ZnO 为主要成分，在所述多个晶粒的晶界处存在作为p型半导体的钙钛矿结构的 固溶体。

3.权利要求1所述的浪涌吸收元件，其满足所述陶瓷层的空隙率为 25体积％以上、92体积％以下，所述陶瓷层具有在所述第1电极和所述第2 电极之间连通的贯通空隙这两个条件中的至少之一，所述多个晶粒以ZnO为 主要成分，在所述多个晶粒的晶界处存在以组成式ABO₃表示的钙钛矿结构的 固溶体，A位为Sr、Ca、Ba的至少一种，B位为Co、Mn、Cr的至少一种。

4.权利要求3所述的浪涌吸收元件，其中所述钙钛矿结构的固溶体 的含量相对于所述ZnO和所述钙钛矿结构的固溶体的总量，为0.3mol％以上、 15mol％以下。

5.权利要求1所述的浪涌吸收元件，其中所述第1、第2电极是具 有主面的板状，所述第1、第2电极各自的主面的至少一部分设置间隔而形 成重合的间隙区域，所述陶瓷层在所述间隙区域中至少一部分夹在所述第1、 第2电极中。

6.浪涌吸收元件，其具有第1电极、与所述第1电极相对设置的第2 电极、以及陶瓷层，所述陶瓷层的至少一部分与所述第1电极和所述第2电 极连接，所述陶瓷层具有由表现出电压非线性特性的多个晶粒构成的多晶组 织，所述浪涌吸收元件满足所述陶瓷层的空隙率为25体积％以上、92体积％ 以下，或者所述陶瓷层具有在所述第1电极和所述第2电极之间连通的贯通 空隙这两个条件中的至少之一，所述多个晶粒以ZnO为主要成分，在所述多 个晶粒的晶界处存在以组成式ABO₃表示的钙钛矿结构的固溶体，A位为Sr、 Ca、Ba的至少一种，B位为Co、Mn、Cr的至少一种。

7.权利要求6所述的浪涌吸收元件，其中所述钙钛矿结构的固溶体 的含量相对于所述ZnO和所述钙钛矿结构的固溶体的总量，为0.3mol％以上、 15mol％以下。