[发明专利]形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法

权利要求书

1.一种形成包含锗和碲的相变材料的方法，其包含：

将包含锗的材料沉积于衬底上，所述包含锗的材料包含呈元素形式的锗；和

使包含碲的气态前体流动到所述包含锗的材料上且从所述气态前体移出碲以与所述包含锗的材料中所述呈元素形式的锗反应，从而在所述衬底上形成相变材料的包含锗和碲的化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其对所述包含锗和碲的化合物的形成具有自我限制性，且包含使所述气态前体继续流动到所述包含锗的材料上至少直到不再形成所述化合物，借此自我限制从所述流动形成的所述包含锗和碲的化合物的厚度。

3.根据权利要求2所述的方法，其包含在不再形成所述化合物后使所述流动继续至少10秒。

4.根据权利要求3所述的方法，其包含至少在不再形成所述化合物后从所述气态前体移出碲。

5.根据权利要求1所述的方法，其包含在所述流动后：

沉积更多的包含呈元素形式锗的包含锗的材料；和

在所述更多的包含锗的材料沉积后，使包含碲的气态前体流动到所述包含锗的材料上，此可移出碲以与所述呈元素形式的锗反应，从而形成包含锗和碲的化合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其包含将所述沉积和所述流动重复至少一次。

7.根据权利要求1所述的方法，其包含将所述沉积和所述流动重复一次以上。

8.根据权利要求7所述的方法，其中每次沉积的包含锗的材料的厚度为1埃到20埃。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积和所述流动构成一个周期，在所述周期中从所述流动形成的所述相变材料的厚度比所述包含锗的沉积材料的厚度大至少50％，所述包含碲的气态材料流动到所述包含锗的沉积材料上。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在所述周期中从所述流动形成的所述相变材料的厚度比所述包含锗的沉积材料的厚度大至少100％，所述包含碲的气态材料流动到所述包含锗的沉积材料上。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含碲的前体是有机物。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述包含碲的前体不含NR₂。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含碲的前体是无机物。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含碲的前体不含氮。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含锗的材料包含锑，所述包含锗和碲的化合物包含锑。

16.一种形成包含锗和碲的相变材料的方法，其包含：

在衬底材料中形成开口；

使用包含锗的材料衬砌所述开口，所述包括锗的材料接纳于所述开口外侧的材料上，所述包含锗的材料包含呈元素形式的锗；

使包含碲的气态前体流动到在所述开口内和所述开口外侧的所述包含锗的材料上，且从所述气态前体移出碲以与所述包含锗的材料中所述呈元素形式的锗反应，从而形成相变材料的包含锗和碲的化合物；和

所述包含锗和碲的化合物的形成速率在靠近所述开口基底处小于所述开口外侧，且在所述开口外侧不再形成所述化合物但在所述开口内继续形成所述化合物的时刻之后，使所述气态前体继续流动，借此自我限制从所述流动形成的所述包含锗和碲的化合物的厚度。

17.根据权利要求16所述的方法，其包含在所述开口内不再形成所述化合物后使所述流动继续至少10秒。

18.根据权利要求16所述的方法，其包含至少在所述开口外侧不再形成所述化合物后从所述开口外侧的所述气态前体移出碲。

19.一种形成相变存储器电路的方法，其包含：

在衬底上形成内部电极材料；

在所述内部电极材料上形成包含碲的相变材料，所述相变材料的所述形成包含：

将包含锗的材料沉积于所述内部电极材料上，所述包含锗的材料包含呈元素形式的锗；和

使包含碲的气态前体流动到所述包含锗的材料上，且从所述气态前体移出碲以与所述包含锗的材料中所述呈元素形式的锗反应，从而形成包含锗和碲的化合物；和

在所述包含碲的相变材料上形成外部电极材料。