[发明专利]形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法

说明书

技术领域

本文所揭示实施例涉及形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法。

背景技术

可将集成电路存储器表征为易失性或非易失性。易失性存储器因电荷散逸而必须通常以每秒钟多次进行重新编程/重新写入。另一方面，非易失性存储器可在未必需要周期性地刷新时维持其任一编程状态。实例性易失性存储器包括动态随机存取存储器(DRAM)。实例性非易失性存储器包括静态随机存取存储器(SRAM)、快闪存储器和相变存储器(PCM)。

集成电路的制造的持续目标是使单个装置变小以增加电路密度并借此缩小电路尺寸或能够在较小空间中封装更多电路。但较小和较密集电路在作业时必须可靠。相变存储器因其显然能够按比例缩小并维持可靠性而越来越令人感兴趣。

相变存储器的主要组件是一对在彼此之间夹有相变材料的电极。相变材料能够经选择性地受修饰以至少改变其在高电阻状态与低电阻状态间的可“读取”电阻，且因此可用作固态存储器。在相变存储器中，使不同量值的电流选择性地经过相变材料，此会十分迅速地改变所述材料的电阻。

相变材料经常由不同金属的组合或合金形成。一种相关金属是碲。碲可与(例如)锗和锑中的一者或两者组合以形成GeTe、SbTe或GeSbTe材料。化学气相沉积(CVD)是一种可将所述相变材料沉积到衬底上的方法。例如，可在适宜条件下于衬底上提供期望数量的包含锗、锑和碲中每一者的不同沉积前体以便沉积具有期望数量的相应锗、锑和碲的GeSbTe材料。实例性碲前体包括碲酰胺和有机金属物，例如三(二甲基胺基)碲。

相变材料还可用于制造可重写媒体，例如可重写CD和DVD。

尽管本发明实施例的动机在于解决上文所述及问题，但本发明绝不受此限制。

发明内容

附图说明

图1是在本发明实施例的工艺中衬底的示意性剖视图。

图2是在继图1所示处理步骤之后的处理步骤中图1衬底的视图。

图3是在继图2所示处理步骤之后的处理步骤中图2衬底的视图。

图4是在继图3所示处理步骤之后的处理步骤中图3衬底的视图。

图5是在继图4所示处理步骤之后的处理步骤中图4衬底的视图。

图6是在本发明实施例的工艺中衬底的示意性剖视图。

图7是在继图6所示处理步骤之后的处理步骤中图6衬底的视图。

图8是在继图7所示处理步骤之后的处理步骤中图7衬底的视图。

图9是在本发明实施例的工艺中衬底的示意性剖视图。

图10是在继图9所示处理步骤之后的处理步骤中图9衬底的视图。

图11是在继图10所示处理步骤之后的处理步骤中图10衬底的视图。

图12是在继图11所示处理步骤之后的处理步骤中图11衬底的视图。

图13是在继图12所示处理步骤之后的处理步骤中图12衬底的视图。

图14是在本发明实施例的工艺中衬底的示意性剖视图。

图15是在继图14所示处理步骤之后的处理步骤中图14衬底的视图。

图16是在继图15所示处理步骤之后的处理步骤中图15衬底的视图。

图17是在继图16所示处理步骤之后的处理步骤中图16衬底的视图。

图18是在本发明实施例的工艺中衬底的示意性剖视图。

图19是在继图18所示处理步骤之后的处理步骤中图18衬底的视图。

图20是在继图19所示处理步骤之后的处理步骤中图19衬底的视图。

图21是在本发明实施例的工艺中衬底的示意性剖视图。

具体实施方式

本发明实施例涵盖形成包含锗和碲的相变材料的方法，且其可用于任一现有或尚待开发的应用中。例如，此可用于制造集成电路或制造可重写媒体。在一些实施例中，将包含锗和碲的相变材料纳入形成相变存储器电路的方法中。

首先参照图1-5来阐述形成包含锗和碲的相变材料的方法的实例性实施例。图1绘示将沉积有包含锗和碲的相变材料的衬底10。衬底10可包含任一衬底，包括半导体衬底。在本文件的上下文中，术语“半导体衬底”或“半导电衬底”界定为意指包含半导电材料的任一构造，包括但不限于诸如半导电晶片(单独或在其上包含其它材料的组合件中)等块状半导电材料和半导电材料层(单独或在包含其它材料的组合件中)。术语“衬底”涉及任一支撑结构，包括但不限于上述半导电衬底。衬底10可为拟用于形成可重写光学媒体(例如CD和DVD)的适宜衬底。不论如何，可使用任一现有或尚待开发的衬底10。