[发明专利]导体层形成用组合物及导体基板、以及导体基板的制造方法无效
申请号: | 201080016815.9 | 申请日: | 2010-04-05 |
公开(公告)号: | CN102396037A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 清水克也 | 申请(专利权)人: | 旭化成电子材料株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;C23C18/16;C23C18/28;H01B13/00;H05K1/09;H05K3/00;H05K3/12;H05K3/18;C08J7/04 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导体 形成 组合 以及 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及导体层形成用组合物及导体基板、以及导体基板的制造方法。
背景技术
作为制造IC标签的天线、电磁波屏蔽体、柔性印刷布线板等的导体层的方法,广泛利用光刻工艺。
作为仅通过单纯的印刷来形成导体图案的方法,已知有印刷由银等的金属微粒形成的导电性墨的方法。使用金属微粒时,为了获得充分的电导率,使颗粒间紧密地融合是不可或缺的。此外,需要充分地除去作为金属微粒的粘结剂配合的树脂等非金属成分,很多情况下,在150℃以上的高温下实施烧成。
除了光刻工艺、导电性墨印刷以外,还已知有加成法(additive method)。光刻工艺是通过蚀刻除去不需要的导体层的方法(subtractive method,消减法),与此相对,加成法是仅在需要的地方通过化学镀敷形成导体层的方法。该方法中,通常通过印刷法等形成化学镀敷的催化剂层,然后在该处实施化学镀敷。
例如专利文献1中公开了印刷含有钯、铂、镍、铜络合物的墨的方法。专利文献2中公开了印刷含有聚合物以及第1B属金属或第8属金属的化合物、络合物或胶体的催化剂墨后实施金属镀敷的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利第4,368,281号说明书
专利文献2:日本特表平6-508181号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,光刻工艺需要诸多工序:在铜箔层压板上涂布光致抗蚀剂的工序;通过介由光掩模的曝光对抗蚀剂进行图案烧蚀的工序;对光致抗蚀剂进行显影并蚀刻铜箔的工序等。
由于导电性墨印刷需要在150℃以上的温度下进行烧成,所以聚对苯二甲酸乙二醇酯等通用塑料基材在耐热性的方面存在难以使用的问题。
关于加成法,例如专利文献1的墨由于不仅含有溶剂还含有粘接剂作为必须成分,所以不仅需要使溶剂干燥的工序,还需要在印刷后进行用于使粘接剂交联的热处理工序,因此,存在工序数量多而繁杂的问题。专利文献2的方法中,除了印刷后的干燥工序以外,为了使催化剂活化,需要在160~500℃这样的高温下进行热处理,存在无法避免基材的树脂薄膜变质的问题。
此外,专利文献1及专利文献2的墨中配合的成分实质上限于钯系化合物。因此,存在无法避免因使用昂贵的钯而产生的成本方面的不利的问题。
对于以上述墨为代表的现有的墨而言,除了用于形成导体层的工序数量多、需要高温下的处理等问题以外,还存在墨成分非常昂贵的问题,期望开发解决这种问题的技术。
本发明是鉴于上述情况而进行的,目的在于提供一种导体层形成用组合物、使用其的导体基板及其制造方法,所述导体层形成用组合物能够制成导电性优异的导体层,并且在形成导体层时,工序数量少且无需高温下的处理,制造成本低。
用于解决问题的方案
本发明人为了解决上述课题而进行了深入研究,结果发现,通过使用具有特定结构的金属络合物作为导体层形成用组合物,从而能够在基材上形成导电性优异的导体层,并且工序数量少且无需高温下的处理,成本低,从而完成了本发明。
即,本发明如下所述。
[1]一种导体层形成用组合物,其包含下述式(1)所示的金属络合物。
(式(1)中,R1、R2、R3、R4及R5各自独立地表示氢原子、羧基、烷氧基羰基、氰基、甲酰基、酰基、硝基、亚硝基、烷基、链烯基、环烷基、芳烷基、芳基、羟基、巯基、烷硫基、烷氧基、卤素原子或氨基。对于R1、R2、R3、R4及R5,可以是它们中的至少2个彼此键合而形成饱和环或不饱和环,也可以各自独立地具有从式(1)所示的化合物脱离1个氢原子而成的1价基团作为取代基。M表示选自由Cu、A g、Au、Ni、Pd、Co、Rh、Fe、In及Sn组成的组中的任一种以上的金属。n表示1~6的整数。)
[2]根据[1]的导体层形成用组合物,其中,前述R1、R2、R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或异丙基。
[3]根据[1]或[2]的导体层形成用组合物,其中,前述M表示Cu。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭化成电子材料株式会社,未经旭化成电子材料株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080016815.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。