[发明专利]多层互连系统

权利要求书

1.一种阳连接部件(120)，用于与对应构造的阴连接部件(140)连接在一起，该阴连接部件(140)具有延伸到该阴连接部件(140)的阴基板(142)的主表面(170)中的凹陷(144)，其中该阴连接部件(140)包括多个导电阴接触件(146)，所述多个导电阴接触件(146)彼此电去耦且相对于该阴基板(142)的主表面(170)设置在不同高度水平处，该阳连接部件(120)包括：

阳基板(102)；

凸起(104)，从阳基板(102)的主表面(160)突出并包括多个导电阳接触件(106)，所述多个导电阳接触件(106)彼此电去耦且相对于阳基板(102)的主表面(160)设置在不同高度水平处；

其中，阳连接部件(120)适于与阴连接部件(140)连接在一起，使得在连接时，所述多个导电阳接触件(106)中的每一个与所述多个导电阴接触件(146)中的一个接触，用于在不同高度水平处提供电接触；

其中，阳基板(102)形成芯片、芯片封装和电路板之一的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的阳连接部件(120)，包括多个凸起(104)，特别是凸起(104)的阵列，每个凸起从阳基板(102)的主表面(160)突出，并且每个凸起包括多个导电阳接触件(106)，所述多个导电阳接触件(106)彼此电去耦且相对于阳基板(102)的主表面(160)设置在不同高度水平处。

3.根据权利要求1所述的阳连接部件(120)，其中凸起(104)包括中心柱(108)和围绕所述中心柱(108)的至少一个管(110)，所述中心柱(108)和所述至少一个管(110)从阳基板(102)的主表面(160)突出并包括所述多个导电阳接触件(106)和用于将所述导电阳接触件(106)中的不同导电阳接触件彼此电去耦的电绝缘材料。

4.根据权利要求3所述的阳连接部件(120)，其中中心柱(108)延伸到大于所述至少一个管(110)延伸高度的高度，从而形成锥形凸起，特别是台阶状锥形凸起。

5.根据权利要求1所述的阳连接部件(120)，其中所述凸起(104)包括多个导电结构(106)和多个电绝缘结构并通过层叠形成。

6.根据权利要求1所述的阳连接部件(120)，其中所述阳基板(102)形成用于封装半导体芯片的晶片级芯片尺寸封装的至少一部分。

7.根据权利要求1所述的阳连接部件(120)，适于与根据权利要求8-14中任一项所述的对应构造的阴连接部件(140)连接在一起。

8.一种阴连接部件(140)，用于与对应构造的阳连接部件(120)连接在一起，阳连接部件(120)具有从阳连接部件(120)的阳基板(102)的主表面(160)突出的凸起(104)，其中该阳连接部件(120)包括多个导电阳接触件(106)，所述多个导电阳接触件(106)彼此电去耦并相对于阳基板(102)的主表面(160)设置在不同高度水平，该阴连接部件(140)包括：

阴基板(142)；

凹陷(144)，延伸到阴基板(142)的主表面(170)中，并限定该阴基板(142)的多个导电阴接触件(146)，所述多个导电阴接触件(146)彼此电去耦且相对于阴基板(142)的主表面(170)设置在不同高度水平处；

其中，阴连接部件(140)适于与阳连接部件(120)连接在一起，使得在连接时，所述多个导电阳接触件(106)中的每一个与所述多个导电阴接触件(146)中的一个接触，用于在不同高度水平处提供电接触；

其中，阴基板(142)形成芯片、芯片封装和电路板之一的至少一部分。

9.根据权利要求8所述的阴连接部件(140)，包括多个凹陷(144)，特别是凹陷(144)的阵列，每个凹陷延伸到阴基板(142)的主表面(170)中，并且每个凹陷限定该阴基板(142)的多个导电阴接触件(146)，所述多个导电阴接触件(146)彼此电去耦且相对于阳基板(102)的主表面(160)设置在不同高度水平处。