[发明专利]多层互连系统有效
申请号: | 201080017182.3 | 申请日: | 2010-03-26 |
公开(公告)号: | CN102405525A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 埃里西·皮斯勒 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/498 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 互连 系统 | ||
技术领域
本发明涉及阳连接部件。本发明还涉及阴连接部件。而且,本发明涉及电子装置。而且,本发明涉及将阳连接部件与阴连接部件连接在一起的方法。
背景技术
例如,为了封装半导体芯片和为了将封装好的半导体芯片连接至印刷电路板,必须形成多个电接触件。为尺寸持续缩小的管芯(裸片)提供越来越多的I/O互连的能力是重要的问题。此外,随着半导体电路的缩小,较小尺寸的封装同样有助于蜂窝电话和其他手持装置的小型化。
WO 02/13253公开了制造用于连接至具有对应的阳连接器的微型部件的阴微连接器的方法,该方法包括下述步骤:在基板上沉积第一层,去除第一层的选定部分,并去除基板的选定部分,以在基板限定具有开口的凹陷,第一层的一个或多个部分在凹陷的开口的上方部分地延伸,第一层的材料和厚度被选择为使得当对应的阳连接器插入凹陷中,第一层的在凹陷的开口的上方延伸的所述一个或多个部分弯曲以将阳连接器保持在凹陷内的所需位置,其中通过采用第一蚀刻剂的第一蚀刻工艺去除基板的选定部分以底切第一层,第一蚀刻工艺的蚀刻周期被选择为蚀刻足以允许第一层弯曲的第一宽度,通过采用不同于第一蚀刻剂的第二蚀刻剂的第二蚀刻工艺蚀刻至第二宽度以底切第一层,第二蚀刻工艺的蚀刻周期被选择为使得第二宽度小于第一宽度,其中第二蚀刻工艺的垂直于第一层的平面的蚀刻速率大于平行于第一层的平面的蚀刻速率。
然而,当将连接的部分变得越来越小时,常规的连接技术不允许提供足够数量的接触件。
发明内容
因此,本发明的目的是使得能够进行两个部件的连接,以形成足够数量的电接触件。
本发明的目的由根据独立权利要求的阳连接部件、阴连接部件、电子装置和将阳连接部件与阴连接部件连接在一起的方法实现。
根据示例性实施方式,提供了一种阳连接部件,其用于与对应构造的阴连接部件连接在一起,该阴连接部件具有延伸到该阴连接部件的阴基板的主表面(例如平坦表面部)中的凹陷(如凹槽),其中该阴连接部件包括彼此电去耦且相对于阴基板的主表面设置在(凹陷内)不同高度水平处的多个导电阴接触件(其可以在凹陷内的侧向位置处暴露至环境),该阳连接部件包括阳基板和凸起,凸起从阳基板的主表面突出并包括彼此电去耦且相对于阳基板的主表面设置在不同高度水平(或者标高或海拔,即,在离阳基板的主表面的不同距离处)处的多个导电阳接触件,其中阳连接部件,适于与阴连接部件连接在一起,使得在连接时,所述多个导电阳接触件的每一个与所述多个导电阴接触件中的一个接触,用于在不同高度水平处提供电接触,其中阳基板形成芯片(如电子芯片,特别是集成电路)、芯片封装和电路板(如用于承载所述芯片或芯片封装的基板,该电路板可以为印刷电路板或者该芯片将直接安装在其上的另一个芯片)之一的至少一部分。
根据另一种示例性实施方式,提供了一种阴连接部件,其用于与对应构造的阳连接部件连接在一起,阳连接部件具有从阳连接部件的阳基板的主表面(例如平坦表面部)突出的凸起,其中该阳连接部件包括多个导电阳接触件(其可以在凸起内的侧边界处暴露至环境),所述多个导电阳接触件彼此电去耦并相对于阳基板的主表面设置在(凸起上的)不同高度水平,该阴连接部件包括阴基板和凹陷,凹陷延伸到阴基板的主表面中,并限定阴极基板的多个导电阴接触件,所述多个导电阴接触件彼此电去耦且相对于阴基板的主表面设置在不同高度水平(或者标高或海拔,即,在离阴基板的主表面的不同距离处)处,其中阴连接部件适于与阳连接部件连接在一起,使得在连接时,所述多个导电阳接触件中的每一个与所述多个导电阴接触件中的一个接触,用于在不同高度水平处提供电接触,其中,阴基板形成芯片、芯片封装和电路板之一的至少一部分。
根据又一种示例性实施方式,提供了一种电子装置(如移动电话其他便携式装置),其包括具有上述特征的阳连接部件和具有上述特征的阴连接部件,其中阳连接部件与阴连接部件连接在一起,其中所述阳基板和阴基板中的一个形成所述芯片或芯片封装的至少一部分,并且所述阳基板和阴基板中的另一个形成所述电路板的至少一部分。
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