[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备

权利要求书

1.一种电子照相感光构件，其包括：

基体，

光导电层，所述光导电层设置在所述基体上并由非晶硅构成，和

表面层，所述表面层设置在所述光导电层上并由氢化非晶碳化硅构成，

其中：

所述电子照相感光构件在所述光导电层和所述表面层之间进一步包括基本上由五层以上的中间层组成的变化层，所述中间层各自由氢化非晶碳化硅构成，

其中：

在所述变化层中包括的各所述中间层中，碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)从所述光导电层侧的最内中间层朝向所述表面层侧的最外中间层单调地增加；

在所述变化层中，包括两层以上的其中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)在0.35以上至0.65以下的范围内的中间层；

当在所述变化层中包括的中间层中的其中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)在0.35以上至0.65以下的范围内的中间层中选择彼此相邻的两层，并且，在该彼此相邻的两层中，在所述光导电层侧的中间层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)由A表示，和在所述表面层侧的中间层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)由B表示时，其中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)在0.35以上至0.65以下范围内的全部中间层在所述层中满足由下式(1)定义的层间增加率为19％以下：

层间增加率＝{(B-A)/A}×100(％)    (1)；

在所述表面层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)为0.61以上至0.90以下；和

在所述表面层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)大于在所述变化层中包括的任何中间层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中在所述表面层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)为0.70以上至0.90以下。

3.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述变化层为基本上由五层以上至九层以下的中间层组成的层。

4.根据权利要求1至3任一项所述的电子照相感光构件，其中在所述变化层中包括的所述中间层各自具有10nm以上至200nm以下的层厚度。

5.根据权利要求1至4任一项所述的电子照相感光构件，其中，在所述变化层中包括的所述中间层中，其中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)为0.35以下的中间层具有总计200nm以下的层厚度。

6.根据权利要求1至5任一项所述的电子照相感光构件，其中在所述变化层中包括至少一层引入第13族元素的中间层。

7.根据权利要求6所述的电子照相感光构件，其中在所述引入第13族元素的一层或多层中间层中，碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)为0.10以上。

8.根据权利要求6或7所述的电子照相感光构件，其中，在所述变化层中包括的所述中间层中，所述引入第13族元素的中间层具有总计50nm以上至1,000nm以下的层厚度。

9.一种电子照相设备，其包括根据权利要求1至8任一项所述的电子照相感光构件，和充电装置、图像曝光装置、显影装置、转印装置和清洁装置。