[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备

说明书

技术领域

本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。

背景技术

作为在电子照相设备中使用的电子照相感光构件类型，广泛地已知具有由非晶硅构成的光导电层(感光层)和设置于光导电层上并由氢化非晶碳化硅构成的表面层的电子照相感光构件。由非晶硅构成的光导电层和由氢化非晶碳化硅构成的表面层通过例如成膜技术如等离子体CVD形成。下文中，非晶硅也称作“a-Si”，由a-Si构成的光导电层也称作“a-Si光导电层”，和具有此类a-Si光导电层的电子照相感光构件也称作“a-Si电子照相感光构件”。氢化非晶碳化硅也称作“a-SiC”，和由a-SiC构成的表面层也称作“a-SiC表面层”。

关于此类a-Si电子照相感光构件，已研究在a-Si光导电层和a-SiC表面层之间设置由a-SiC构成的中间层(日本专利申请特开2005-301233和S61-159657)。出于例如以下各种目的设置此类中间层：防止从表面层表面反射的光与在表面层和光导电层之间的界面处反射的光的干涉，和改进光导电层和表面层之间的耐剥离性(delamination resistance)(粘着性)。在一些情况下，不仅作为单层而且作为多层中间层而设置。下文中，由a-SiC构成的中间层也称作“a-SiC中间层”。

尽管迄今已如上研究和改进此类a-Si电子照相感光构件，但是在目前的情况下，从近年来使得电子照相处理速度更高和图像品质更高的观点，仍保留进一步改进的空间。

例如，随着使得电子照相处理速度更高，电子照相设备的处理速度变得更高，其中，例如清洁刮板可能震动从而趋于引起调色剂(显影剂)的滑落(slip-through)。作为为此的对策，其中将清洁刮板在较高压力下压向电子照相感光构件的方法是可用的。

然而，通过本发明人进行的研究显示，在a-Si光导电层和a-SiC表面层之间设置多层a-SiC中间层时，随着清洁刮板压向电子照相感光构件时压力的增加，a-SiC中间层更趋于在它们的层之间分离。如这样认为的，这是因为，清洁刮板压向电子照相感光构件时压力的此类增加，使得应力集中在a-Si光导电层和a-SiC表面层之间多层设置的a-SiC中间层的一个或多个层间界面处。

发明内容

本发明的目的在于提供如下的电子照相感光构件和提供具有此类电子照相感光构件的电子照相设备：即使在a-Si光导电层和a-SiC表面层之间设置多层a-SiC中间层时的情况下所述电子照相感光构件的a-SiC中间层也不会在它们的层之间容易地分离(即，引起剥离)。

本发明为具有基体、光导电层和表面层的电子照相感光构件，所述光导电层设置在基体上并由非晶硅构成，所述表面层设置在光导电层上并由氢化非晶碳化硅构成，其中：

电子照相感光构件在光导电层和表面层之间进一步具有基本上由五层以上的中间层组成的变化层，所述中间层各自由氢化非晶碳化硅构成，其中：

在变化层中包括的各中间层中，碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)从光导电层侧的最内中间层朝向表面层侧的最外中间层单调地增加；

在所述变化层中，包括两层以上其中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)在0.35以上至0.65以下的范围内的中间层；

当在所述变化层中包括的中间层中的其中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)在0.35以上至0.65以下的范围内的中间层中选择彼此相邻的两层，并且，在该彼此相邻的两层中，在所述光导电层侧的中间层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)由A表示，和在所述表面层侧的中间层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)由B表示时，在所述层中，其中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)在0.35以上至0.65以下范围内的全部中间层满足由下式(1)定义的层间增加率为19％以下：

层间增加率＝{(B-A)/A}×100(％)  (1)；

在所述表面层中碳原子的原子数(C)与硅原子的原子数(Si)和碳原子的原子数(C)之和的比C/(Si+C)为0.61以上至0.90以下；和