[发明专利]用于靠近硅过孔放置晶体管的方法及装置

权利要求书

1.一种用于分析电路的方法，包括如下步骤：

提供具有处理器和存储器的计算机系统，所述计算机系统被编程有电路仿真器；

向所述电路仿真器提供根据电路设计的多个电路节点和电路器件；以及

所述计算机系统电路仿真器根据多个模型参数值来计算所述电路设计的电特性，

其中所述电路器件中之一包括放置在距TSV特定距离处的晶体管，

并且其中所述计算机系统电路仿真器根据所述特定距离来计算所述电特性。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶体管具有相对于自所述TSV的预定方向的特定角位移，

并且其中所述计算机系统电路仿真器还根据所述特定角位移来计算所述电特性。

3.根据权利要求1或者2所述的方法，其中所述晶体管具有相对于预定方向的特定取向，

并且其中所述计算机系统电路仿真器还根据所述特定取向来计算所述电特性。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述计算机系统电路仿真器包括晶体管模型，所述晶体管与TSV之间的距离是所述模型的参数，

并且其中在所述计算步骤中使用的所述多个模型参数值包括针对所述特定距离的值。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述计算机系统电路仿真器包括具有多个晶体管实例参数的晶体管模型，

并且其中在所述计算步骤中使用的所述多个模型参数值包括根据所述特定距离修改的、针对所述晶体管实例参数中之一的值。

6.一种用于分析电路的系统，包括具有处理器和存储器的计算机系统，所述计算机系统被编程有电路仿真器，

所述计算机系统电路仿真器根据多个模型参数值来计算来自被提供给所述电路仿真器的电路设计的多个电路节点和电路器件的电特性，

其中所述电路器件之一包括放置在距TSV特定距离处的晶体管，

并且其中所述计算机系统电路仿真器根据所述特定距离来计算所述电特性。

7.一种用于使用具有处理器和存储器的计算机系统对第一集成电路设计进行构图的方法，所述方法包括如下步骤：

可访问地向所述计算机系统提供所述第一集成电路设计的第一版图，所述第一版图限定多个掩模，所述掩模当被应用在制造工艺中时限定多个集成特征，所述特征限定TSV和至少第一晶体管，所述第一晶体管具有在未考虑所述特定晶体管距所述TSV的距离的情况下预测的针对特定晶体管性能参数的目标值；

所述计算机系统在将距所述TSV的所述距离考虑在内的情况下执行对所述版图中所述晶体管的仿真，以形成针对所述特定参数的应力调整值；

所述计算机系统根据所述第一版图、针对所述特定参数的所述目标值以及针对所述特定参数的所述应力调整值来形成所述第一集成电路设计的第二版图；以及

所述计算机系统以对所述计算机系统可访问的方式存储所修改的版图。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述晶体管具有相对于自所述TSV的预定方向的特定角位移，

并且其中由所述计算机系统所执行的所述仿真还将所述特定角位移考虑在内。

9.根据权利要求7或者8所述的方法，其中所述晶体管具有相对于预定方向的特定取向，

并且其中由所述计算机系统所执行的所述仿真还将所述特定取向考虑在内。

10.一种可由具有处理器和存储器的计算机系统访问的计算机可读介质，所述介质被编码有数据库，该数据库当由所述计算机系统解译时标识宏单元，所述宏单元包括：

针对电路的版图，所述版图包括TSV和电连接至所述TSV的第一晶体管；以及

所述电路的仿真模型，所述仿真模型将所述第一晶体管到所述TSV的距离考虑在内。

11.根据权利要求10所述的介质，其中所述第一晶体管在所述版图中具有相对于自所述TSV的预定方向的第一角位移，

并且其中所述仿真模型还将所述第一角位移考虑在内。