[发明专利]选择性等离子体氮化处理方法和等离子体氮化处理装置

权利要求书

1.一种选择性等离子体氮化处理方法，其特征在于：

在等离子体处理装置的处理容器内在载置台上载置露出有硅表面和硅化合物层的被处理体，

将所述处理容器内的压力设定在66.7Pa以上667Pa以下的范围内，

以被处理体的每单位面积0.1W/cm²以上1.2W/cm²以下的输出向所述载置台供给高频电力，向被处理体施加偏压电压下，生成含氮等离子体，

通过所述含氮等离子体对所述硅表面进行选择性氮化处理，形成氮化硅膜。

2.如权利要求1所述的选择性等离子体氮化处理方法，其特征在于：

所述硅化合物层为硅氧化膜。

3.如权利要求2所述的选择性等离子体氮化处理方法，其特征在于：

相对于所述硅氧化膜的氮化的所述硅的氮化的选择比为2以上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的选择性等离子体氮化处理方法，其特征在于：

将所述处理容器内的压力设定在133Pa以上400Pa以下的范围内。

5.如权利要求1至4中任一项所述的选择性等离子体氮化处理方法，其特征在于：

所述高频电力的频率在400kHz以上600kHz以下的范围内。

6.如权利要求1至5任中一项所述的选择性等离子体氮化处理方法，其特征在于：

处理时间为10秒以上180秒以下。

7.如权利要求1至5中任一项所述的选择性等离子体氮化处理方法，其特征在于：

处理时间为10秒以上90秒以下。

8.如权利要求1至7中任一项所述的选择性等离子体氮化处理方法，其特征在于：

所述含氮等离子体为通过所述处理气体和由具有多个狭缝的平面天线导入所述处理容器内的微波而形成的微波激励等离子体。

9.如权利要求1至8中任一项所述的选择性等离子体氮化处理方法，其特征在于：

所述微波的功率密度在对于被处理体的每单位面积为0.255W/cm²以上2.55W/cm²以下的范围内。

10.如权利要求1至9中任一项所述的选择性等离子体氮化处理方法，其特征在于：

处理温度在室温以上600℃以下的范围内。

11.一种等离子体氮化处理装置，其特征在于，包括：

利用等离子体，对露出有硅表面和硅化合物层的被处理体进行处理的处理容器；

对所述处理容器内进行减压排气的排气装置；

在所述处理容器内生成等离子体的等离子体生成单元；

在所述处理容器内载置被处理体的载置台；

与所述载置台连接的高频电源；和

控制部，其控制实施选择性等离子体氮化处理方法，所述选择性等离子体氮化处理方法，将所述处理容器内的压力设定在66.7Pa以上667Pa以下的范围内，是以被处理体的每单位面积0.1W/cm²以上1.2W/cm²以下的输出向所述载置台供给高频电力，向被处理体施加偏压电压下，生成含氮等离子体，通过所述含氮等离子体对所述硅表面进行选择性氮化处理，形成氮化硅膜。