[发明专利]超细晶粒多晶硅薄膜的气相沉积方法无效
| 申请号： | 201080018636.9 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102428539A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 金海元;禹相浩;赵星吉 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶粒 多晶 薄膜 沉积 方法 | ||
1.一种沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法包括：
在装载有衬底的腔室内形成氮气氛；和
将源气体供应至所述腔室内，以在所述衬底上沉积多晶硅薄膜；
其中，所述源气体包括硅基气体、氮基气体和磷基气体。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述氮气氛的形成包括将氮基气体供应至所述腔室内。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述氮基气体是氨(NH3)。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述源气体中的所述氮基气体与所述硅基气体的混合比是约0.03以下(0除外)。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述薄膜中的氮为约11.3原子百分比(％)以下(0除外)。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括对所述薄膜的热处理过程。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述硅基气体是硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、二氯硅烷(DCS)、三氯硅烷(TCS)和六氯乙硅烷(HCD)中的任一种。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述磷基气体可以是膦(PH3)。
9.如权利要求1～8中任一项所述的方法，其中，所述方法在薄膜沉积中沉积n+或p+掺杂的多晶硅薄膜。
10.如权利要求9所述的方法，其中，在沉积所述n+掺杂的多晶硅薄膜时，通过原位注入如PH3或砷(As)等n+型掺杂物杂质来沉积具有超细晶粒的多晶硅层。
11.如权利要求9所述的方法，其中，在沉积所述p+掺杂的多晶硅薄膜时，通过原位注入如硼(B)等p+型掺杂物杂质来沉积具有超细晶粒的多晶硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
