[发明专利]处理基板的技术

权利要求书

1.一种用于处理基板的遮罩，所述遮罩包括：

第一基座；以及

多个指状物，其彼此间隔开以界定一或多个间隙。

2.根据权利要求1所述的遮罩，其中所述多个指状物中的每一者包括第一端及第二端，所述第一端安置于所述第一基座上。

3.根据权利要求2所述的遮罩，其中所述多个指状物的所述第二端不受支撑。

4.根据权利要求1所述的遮罩，其中所述遮罩含有石英、石墨、蓝宝石、硅、碳化硅以及氮化硅中的至少一者。

5.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：

离子源，其用于产生含有所需物种的离子的离子束；

末端台，其用于容纳基板；

遮罩，其安置于所述离子源与所述基板之间，其中所述基板及所述遮罩中的一者经组态以相对于所述基板及所述遮罩中的另一者平移。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述遮罩相对于所述离子束固定地定位。

7.根据权利要求5所述的装置，其中所述遮罩延伸至小于所述基板的整个高度。

8.根据权利要求5所述的装置，其中至少部分的所述遮罩延伸至小于所述离子束的整个高度。

9.根据权利要求5所述的装置，其中所述离子束包括第一部分及第二部分，其中所述遮罩包括多个指状物，所述多个指状物彼此间隔开以界定一或多个间隙，且其中所述多个指状物安置于所述离子束的所述第一部分的路径中。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述多个指状物未安置于所述离子束的所述第二部分的路径中。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一部分离子束的高度实质上等于所述离子束的所述第二部分的高度。

12.根据权利要求10所述的装置，其中所述离子束的所述第一部分的高度大于所述离子束的所述第二部分的高度。

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述离子束的所述第一部分的高度与所述离子束的所述第二部分的高度的比率为约3∶2。

14.根据权利要求10所述的装置，其中所述离子束的所述第一部分的高度小于所述离子束的所述第二部分的高度。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述离子束的所述第一部分的高度与所述离子束的所述第二部分的高度的比率为约2∶3。

16.根据权利要求10所述的装置，其中来自所述离子束的所述第一部分的所述离子的一部分穿过所述一或多个间隙，且植入所述基板中，以便执行选择性离子植入。

17.根据权利要求10所述的装置，其中来自所述离子束的所述第二部分的所述离子植入所述基板中以便执行毯覆式离子植入。

18.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：

离子源，其用于产生含有所需物种的离子的离子束；

末端台，其用于容纳所基板；以及

遮罩，其安置于所述离子源与所述基板之间，所述遮罩包括多个指状物，所述多个指状物彼此间隔开以界定一或多个间隙，

其中所述多个指状物沿所述离子束的高度方向延伸至小于所述离子束的整个高度。

19.根据权利要求18所述的离子植入器，其中所述遮罩及所述基板中的至少一者相对于所述遮罩及所述基板中的另一者平移。

20.根据权利要求18所述的离子植入器，其中所述离子束包括位于所述离子束的相对侧的第一部分及第二部分，且其中来自所述离子束的所述第一部分的所述离子经组态以在所述基板上执行毯覆式离子植入，且来自所述离子束的所述第二部分的所述离子经组态以在所述基板上执行选择性离子植入。