[发明专利]处理基板的技术

说明书

技术领域

本揭示案是关于一种用于处理基板的技术，更特定而言，是关于一种用于将掺杂剂(dopant)或杂质(impurity)引入基板中的技术。

背景技术

在制造电子设备的制程中，将掺杂剂或杂质引入基板中以更改基板的原始的机械、光学或电性质。在制造存储器设备中，可将硼离子引入硅基板中。由于在晶格(crystal lattice)中硼离子及硅原子具有不同的电性质，因此引入足够量的硼离子可更改硅基板的电性质。

可使用离子植入(ion implantation)技术来引入掺杂剂。在此技术中，将含有所需物种(species)的馈入材料(feed material)离子化。随后，将馈入材料的离子以具有所需能量的离子束(ion beam)的形式朝向基板引导，且随后植入。若离子是来自不同物种，则离子可更改基板的性质。

诸如太阳电池(solar cell)的另一以硅为主基板的设备，亦可藉由将离子或掺杂剂引入硅基板中来制造。在过去，已经由扩散制程(diffusion process)引入掺杂剂，其中将含有玻璃或糊状物(paste)的掺杂剂安置于硅基板上。随后，对基板进行加热，且玻璃或膏状物中的掺杂剂经由热扩散扩散至基板中。

虽然扩散制程可能较经济，但所述制程具有许多缺点。在一些太阳电池中，期望执行选择性掺杂以将掺杂剂仅引入至基板的选定区中。然而，扩散制程难以控制，且经由扩散的选择性掺杂可能难以达成。所述制程可导致不精确的掺杂或不一致的掺杂区的形成。另外，空隙(void)或气泡(air bubble)或其他污染物可能在扩散制程期间与掺杂剂一起被引入基板中。

为解决此些缺点，已提出经由离子植入制程进行掺杂。在所提出的制程中，将用光阻层(photo-resist layer)涂覆基板，且执行微影制程(lithographic process)以曝露基板的若干部分。随后，执行离子植入，且将掺杂剂植入曝露部分中。所述制程虽然达成精确的选择性掺杂，但并不便宜。需要额外的步骤及时间来涂覆、图案化及移除光阻，其每一者均增加制造制程的成本。若待曝露的区极小，则所述步骤可能更复杂。

在制造太阳电池中的任何增加的成本均将降低太阳电池的产生低成本能量的能力。同时，在制造具有高效率的高效能太阳电池中的任何减少的成本均将对太阳电池在全世界的实施具有积极影响。此将达成清洁能量技术的较广可用性及接受度。

因此，需要一种新技术。

发明内容

揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可藉由使用用于处理基板的遮罩而实现。所述遮罩可包括：第一基座；以及多个指状物，其彼此间隔开以界定一或多个间隙。

根据此特定例示性实施例的其他态样，所述多个指状物中的每一者包括第一端及第二端，所述第一端安置于所述第一基座上。

根据此特定例示性实施例的其他态样，所述多个指状物的所述第二端不受支撑。

根据此特定例示性实施例的额外态样，所述遮罩含有石英、石墨、蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)以及氮化硅(SiN)中的至少一者。

根据另一例示性实施例，所述技术可以用于处理基板的装置而实现。所述装置可包括：离子源，其用于产生含有所需物种的离子的离子束；末端台，其用于容纳所述基板；遮罩，其安置于所述离子源与所述基板之间，其中所述基板及所述遮罩中的一者经组态以相对于所述基板及所述遮罩中的另一者平移。

根据此特定例示性实施例的其他态样，所述遮罩可相对于所述离子束固定地定位。

根据此特定例示性实施例的额外态样，所述遮罩可延伸至小于所述基板的整个高度。

根据此特定例示性实施例的额外态样，所述遮罩的至少一部分可延伸至小于所述离子束的整个高度。

根据此特定例示性实施例的其他态样，所述离子束可包括第一部分及第二部分，其中所述遮罩可包括多个指状物，所述多个指状物彼此间隔开以界定一或多个间隙，且其中所述多个指状物可安置于所述离子束的所述第一部分的路径中。

根据此特定例示性实施例的其他态样，所述多个指状物未安置于所述离子束的所述第二部分的路径中。

根据此特定例示性实施例的其他态样，所述第一部分离子束的高度可实质上等于所述离子束的所述第二部分的高度。

根据此特定例示性实施例的其他态样，所述离子束的所述第一部分的高度可大于所述离子束的所述第二部分的高度。