[发明专利]玻璃基板及其制造方法

权利要求书

1.一种玻璃基板，是具有第一表面和第二表面的玻璃基板，其特征在于，

第一表面的平均表面粗糙度Ra为0.2nm以下，

至少第二表面用大气压等离子体法进行了化学处理，并且平均表面粗糙度Ra为0.3～1.5nm。

2.如权利要求1所述的玻璃基板，其特征在于，

大气压等离子体法的气体源是含有F的气体。

3.如权利要求1或2所述的玻璃基板，其特征在于，

采用下拉法成型而成。

4.如权利要求1～3中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，

第一表面的面积和第二表面的面积超过0.2m2。

5.如权利要求1～4中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，

板厚为0.5mm以下。

6.如权利要求1～5中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，

作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有SiO₂ 50～70％、Al₂O₃ 10～20％、B₂O₃ 0～15％、MgO+CaO+SrO+BaO 1～30％、MgO 0～10％、CaO 0～20％、SrO 0～20％、BaO 0～20％，并且基本上不含碱金属氧化物。

7.如权利要求1～6中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，

第一表面是形成电极线和/或各种器件的面，并且第二表面是不形成电极线和/或各种器件的面。

8.一种玻璃基板的制造方法，是具有第一表面和第二表面的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

以使第一表面的平均表面粗糙度Ra为0.2nm以下、使第二表面的平均表面粗糙度Ra为0.3～1.5nm的方式，采用大气压等离子体法至少对第二表面进行化学处理。

9.如权利要求8所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

作为大气压等离子体法的气体源，使用含有F的气体。

10.如权利要求9所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

作为含有F的气体，使用CF₄气体或SF₆气体。

11.如权利要求8～10中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

使大气压等离子体法的处理速度为0.5～10m/分钟。

12.如权利要求8～11中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

化学处理前的第二表面的平均表面粗糙度Ra为0.2nm以下。

13.如权利要求8～12中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

第一表面是形成电极线和/或各种器件的面，并且第二表面是不形成电极线和/或各种器件的面。