[发明专利]封装技术及封装配置有效
申请号: | 201080019936.9 | 申请日: | 2010-05-04 |
公开(公告)号: | CN102439704B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | S·苏塔德雅 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 技术 配置 | ||
1.一种方法,包括:
提供柔性电路基底,包括
包含电绝缘材料的芯,
在所述柔性电路基底的第一侧上布置在所述芯上的第一焊接掩模和第一迹线,
在所述柔性电路基底的第二侧上布置在所述芯上的匀厚金属层,用于增强所述柔性电路基底的结构刚性,其中所述第二侧与所述第一侧相对,以及
所形成的通过所述芯的通孔,用于电耦合所述第一迹线和所述匀厚金属层;
将集成电路裸片附接到所述柔性电路基底的第一侧;
沉积模制复合物以基本上覆盖所述集成电路裸片和所述柔性电路基底的第一侧;以及
选择性地移除所述匀厚金属层的部分以在所述柔性电路基底的第二侧上形成第二迹线。
2.如权利要求1所述的方法,还包括:
在所述匀厚金属层上沉积光刻胶材料;以及
将所述光刻胶材料向光能曝光以限定所述第二迹线的图案,其中选择性地移除所述匀厚金属层的部分包括蚀刻所述图案以形成所述第二迹线。
3.如权利要求2所述的方法,其中:
在将所述集成电路裸片附接到所述第一侧之前在所述匀厚金属层上沉积所述光刻胶材料;以及
在将所述集成电路裸片到附接到所述第一侧之后蚀刻所述图案以形成所述第二迹线。
4.如权利要求1所述的方法,还包括:
在所述匀厚金属层上沉积硬掩模材料,所述硬掩模材料限定所述第二迹线的图案,其中选择性地移除所述匀厚金属层的部分包括蚀刻所述图案以形成所述第二迹线。
5.如权利要求4所述的方法,其中:
在将所述集成电路裸片附接到所述第一侧之前在所述匀厚金属层上沉积所述硬掩模材料;以及
在将所述集成电路裸片附接到所述第一侧之后蚀刻所述图案以形成所述第二迹线。
6.如权利要求2所述的方法,其中将所述集成电路裸片附接到所述柔性电路基底的第一侧包括:以接线键合、倒装芯片和多芯片模式布置中的至少一种方式将所述集成电路裸片电耦合到所述第一迹线。
7.如权利要求1所述的方法,还包括:
沉积焊接掩模材料以覆盖所述第二迹线;以及
选择性地移除所述焊接掩模材料的部分以形成允许电连接到所述第二迹线中的至少一个的第二焊接掩模。
8.如权利要求7所述的方法,还包括:
将焊接球附接到所述柔性电路基底的第二侧以在所述焊接球和所述第二迹线之间形成电连接。
9.如权利要求1所述的方法,还包括:
在将所述集成电路裸片附接到所述柔性电路基底的第一侧之前将无源部件附接到所述柔性电路基底的第一侧。
10.如权利要求1所述的方法,还包括:
在所述第一侧上形成硬化结构以增强所述柔性电路基底的结构刚性。
11.如权利要求10所述的方法,其中在所述第一侧上形成所述硬化结构包括:
将金属层沉积到所述柔性电路基底的第一侧;以及
选择性地移除所述金属层的部分以提供用于将所述集成电路裸片附接到所述柔性电路基底的区域。
12.如权利要求11所述的方法,其中将金属层沉积到所述柔性电路基底的第一侧提供用于形成所述第一迹线的材料。
13.如权利要求10所述的方法,其中在所述第一侧上形成所述硬化结构包括:
将硬化结构附接到所述柔性电路基底的第一侧,
其中所述硬化结构提供结构支持以允许将所述集成电路裸片附接到所述柔性电路基底。
14.如权利要求10所述的方法,其中在选择性地移除所述匀厚金属层的部分之前在所述第一侧上形成所述硬化结构。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造