[发明专利]蚀刻装置

权利要求书

1.一种蚀刻装置，其利用等离子体对被加工物进行蚀刻，其特征在于，具备：

台，其具有装载面，并在装载面上装载被加工物；

等离子体产生单元，其在台的上方，与装载面的中心轴上相比在该中心轴的周围的空间内产生更高浓度的等离子体；

中央电极，其被设置在等离子体产生单元产生等离子体的空间的下侧，并被设置在所述中心轴穿过的位置上，且其电位能够被控制；

外周电极，其被设置在台的上侧且中央电极的下侧，在沿着所述中心轴观察时，其沿着中央电极的周围而延伸，且其电位能够被控制。

2.如权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于：

外周电极沿着上下方向而延伸。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻装置，其特征在于：

还具有电位控制单元，所述电位控制单元将中央电极的电位以及外周电极的电位控制为，比等离子体产生单元产生等离子体的空间的电位低、且比台的电位高的电位。

4.如权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于：

电位控制单元能够对中央电极的电位和外周电极的电位单独地进行变更。

5.如权利要求1至3中的任意一项所述的蚀刻装置，其特征在于：

中央电极和外周电极由将此二者相互连接了的一个电极构成，

在该电极上形成有将上表面和下表面连通的多个通气孔。