[发明专利]蚀刻装置

说明书

技术领域

本说明书所公开的技术涉及一种利用等离子体对被加工物进行蚀刻的蚀刻装置。

背景技术

在日本特许公开公报2004-241792(以下，称为专利文献1)中，公开了一种利用等离子体对被加工物进行蚀刻的蚀刻装置。该蚀刻装置具备：台、腔室、气体导入管、以及空心线圈。当通过该蚀刻装置而实施蚀刻时，被加工物被装载在台上。此外，从气体导入管向腔室内供给蚀刻气体。而且，向空心线圈施加高频电压，并向台施加高频电压。当向台施加高频电压时，在台的上方的腔室内的空间中将产生振动电场。此外，当向空心线圈施加高频电压时，在台的上方的腔室内的空间中将产生振动磁场。于是，通过电场与磁场的相互作用，从而在台的上方的空间中蚀刻气体将发生电离，进而产生等离子体。当产生等离子体时，台带负电。因此，当产生的等离子体向台上的被加工物附近移动时，等离子体中的离子将朝向台上的被加工物而被加速。由此，等离子体中的离子将被射入被加工物。此外，等离子体中的自由基会与被加工物发生反应。以这种方式，通过自由基和离子，从而使被加工物被蚀刻。

在专利文献1中的蚀刻装置中，与台的上方的空间的中央部处相比，在台的上方的空间的外周部处产生了更高浓度的等离子体。当等离子体在维持该浓度分布的状态下到达被加工物时，被加工物的外周部将通过高浓度的等离子体而以较高的速率被蚀刻，而被加工物的中央部将通过低浓度的等离子体而以较低的速率被蚀刻。即，在被加工物上的蚀刻速率是不均匀的。为了解决该问题，专利文献1中的蚀刻装置具备被设置在台的周围的聚焦环。聚焦环上被施加高频电压。当在聚焦环上施加高频电压时，存在于被加工物的外周部附近的等离子体中的离子将被吸入聚焦环中，从而促进了聚焦环与等离子体中的自由基之间的反应。通过这种方式，在专利文献1中的蚀刻装置中，因为存在于被加工物的外周部附近的等离子体被吸入聚焦环中，所以被加工物的外周部附近的等离子体的浓度将降低。由此，被加工物附近的等离子体的浓度被均匀化，从而能够均匀地对被加工物进行蚀刻。

发明内容

发明所要解决的课题

专利文献1中的蚀刻装置通过将外周部的等离子体吸入聚焦环中，从而降低外周部的等离子体的浓度。被吸入至聚焦环中的等离子体，对被加工物的蚀刻没有任何帮助。如此，在专利文献1中的蚀刻装置中，在外周部处产生的等离子体的多数对于蚀刻没有帮助。因此，存在能源的浪费较多，蚀刻的效率较差的问题。

因此，在本说明书中，提供一种能够均匀地对被加工物进行蚀刻、并能够有效地对被加工物进行蚀刻的蚀刻装置。

用于解决课题的方法

本说明书所公开的蚀刻装置，利用等离子体对被加工物进行蚀刻。该蚀刻装置具备台、等离子体产生单元、中央电极、外周电极。台具有装载面。在装载面上装载被加工物。等离子体产生单元在台的上方，与装载面的中心轴上相比在该中心轴的周围的空间内产生更高浓度的等离子体。中央电极被设置在等离子体产生单元产生等离子体的空间的下侧，并被设置在所述中心轴穿过的位置上。中央电极被构成为，其电位能够被控制。外周电极被设置在台的上侧、且中央电极的下侧，在沿着所述中心轴观察时，其沿着中央电极的周围而延伸。外周电极被构成为，其电位能够被控制。

另外，“在台的上方，与装载面的中心轴上相比在该中心轴的周围的空间内产生更高浓度的等离子体”的记载，包含在装载面的中心轴上的区域中产生低浓度的等离子体的含义、和在装载面的中心轴上的区域中完全不产生等离子体的含义。